[发明专利]对在多个位置处的物体成像的装置在审
申请号: | 201980039536.5 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112292640A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | Y·弗拉迪米斯基;R·J·瓦德;M·阿里夫;L·雷日科夫;R·V·古纳瓦达纳 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 物体 成像 装置 | ||
公开了一种用于对处于多个位置(400;410)中的任何一个位置处的物体成像的系统,该系统包括:一个或多个分束器(420),每个分束器(420)将来自物体的光分成成像束和连续束;以及用于每个分束器的光学元件,该光学元件接收成像束并且在物体处于相应位置时对物体成像。
本申请要求于2018年6月14日提交的美国临时专利申请号62/684,839的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及诸如可以用于半导体光刻对准系统的光学系统。
背景技术
光刻装置将期望图案应用到衬底上,通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该应用中,图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)可以被用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分、一个或几个管芯)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。
已知光刻装置包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射光束对图案进行扫描同时平行或反平行于该方向同步地扫描衬底来照射每个目标部分。通过将图案压印到衬底上,也可以将图案从图案形成装置转印到衬底上。
在光刻期间,使用掩模版将期望图案转印到诸如晶片等衬底上。掩模版可以由对所使用的光刻波长透明的材料形成,例如在可见光的情况下掩模版可以为玻璃。另外,掩模版也可以由一种或多种材料形成,这些材料反射为在其中使用该光刻系统的特定系统而选择的光刻波长。照射源(例如,位于光刻装置内的曝光光学元件)照射设置在掩模版台上的掩模版。该照射将图像曝光到设置在衬底台上的衬底上。曝光到衬底上的图像对应于印刷在掩模版上的图像。尽管在光刻的情况下使用曝光光学元件,但是取决于特定应用,可以使用不同类型的曝光装置。例如,如本领域技术人员所知,x射线、离子、电子或光子平版印刷术均可能需要不同的曝光装置。这里仅出于说明目的讨论光刻的特定示例。
掩模版通常位于半导体芯片与光源之间。需要将掩模版加载到掩模版曝光台上的加载过程。掩模版必须在预定位置非常精确地对准。任何对准错误都必须在可校正的合规范围内。传统上,形成在掩模版中的对准标记用于通过定位对准标记来对准掩模版。通过检测掩模版的对准标记来执行对准操作。
为了减少掩模版交换时间并且由此增加光刻系统的产出,期望进行预对准,即,在离线对准站处进行掩模版的对准。一旦将掩模版放置在压板上,就使用掩模版预对准标记将掩模版定位在大约正确的位置。移动载物台,以将附接到载物台的特殊对准标记定位在正确的位置以进行掩模版精细对准。标记可以用HeNe激光照射。然后移动掩模版以提供最佳对准位置,并且将掩模版保持在该位置,直到将掩模版从步进器/扫描仪中移出。
传统上,掩模版预对准系统仅能够在预定的单个工作高度处对掩模版成像。然而,具有能够不仅在一个高度处而且还在其他高度处对掩模版成像的灵活性是有利的。因此,需要一种能够在多个可能的工作高度中的任何一个处对掩模版成像的系统。
发明内容
下面给出了一个或多个实施例的简化概述,以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽概述,并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素,也不旨在界定任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些概念,作为稍后呈现的更详细描述的序言。
根据实施例的一个方面,公开了一种用于对处于第一位置或第二位置的物体成像的系统,该系统包括分束器以及光学元件和其他光学元件,分束器用于将来自物体的光分成第一光束和第二光束,光学元件接收第一光束并且在物体位于第一位置时对物体成像,其他光学元件接收第二光束并且在物体位于第二位置时对物体成像。
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