[发明专利]激光剥离掩模在审

专利信息
申请号: 201980040585.0 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN112352323A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: D·布罗多塞努;D·玛索布雷;J·斯玛尔;A·O·托伦特斯;P·J·休格斯 申请(专利权)人: 脸谱科技有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李春辉
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 剥离
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

获得形成在共用基板上的多个半导体器件,所述多个半导体器件包括通过所述基板的间隙区域间隔开的第一半导体器件和第二半导体器件;

在所述基板的所述间隙区域之上施加掩蔽材料;

将所述多个半导体器件嵌入在填充材料中;以及

使第一光朝向所述多个半导体器件和所述掩蔽材料透射穿过所述基板,从而使得所述基板变为与所述多个半导体器件脱离,其中所述第一光至少部分地被所述掩蔽材料遮挡。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述掩蔽材料遮挡所述第一光,使得在所述第一光与所述填充材料之间实质上不存在相互作用。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述掩蔽材料遮挡所述第一光,使得由于在所述第一光与所述填充材料之间的相互作用而产生的热的量降低。

4.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个半导体器件嵌入使得所述掩蔽材料位于所述填充材料与所述基板之间。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在施加所述掩蔽材料之前,将所述多个半导体器件嵌入在正性光刻胶材料中;

使第二光朝向所述正性光刻胶材料透射穿过所述基板的所述间隙区域,从而使所述正性光刻胶材料的一个或多个区域暴露于所述第二光;以及

去除所述正性光刻胶材料的所述一个或多个区域。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括:

在施加所述掩蔽材料之后,去除所述正性光刻胶材料的保持未暴露于所述第二光的区域。

7.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在施加所述掩蔽材料之前,将所述多个半导体器件嵌入在负性光刻胶材料中;

使第二光朝向所述负性光刻胶材料透射穿过所述基板的所述间隙区域,从而使所述负性光刻胶材料的一个或多个区域暴露于所述第二光;以及

用不同材料替换所述负性光刻胶材料的保持未暴露于所述第二光的区域;以及

去除所述负性光刻胶材料的所述一个或多个区域。

8.根据权利要求7所述的方法,还包括:

在施加所述掩蔽材料之后,去除所述不同材料。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述掩蔽材料是基于溅射工艺而施加的金属材料。

10.一种通过以下方法制造的半导体器件,所述方法包括:

获得形成在共用基板上的多个半导体器件,所述多个半导体器件包括通过所述基板的间隙区域间隔开的第一半导体器件和第二半导体器件;

在所述基板的所述间隙区域之上施加掩蔽材料;

将所述多个半导体器件嵌入在填充材料中;以及

使第一光朝向所述多个半导体器件和所述掩蔽材料透射穿过所述基板,从而使得所述基板变为与所述多个半导体器件脱离,其中所述第一光至少部分地被所述掩蔽材料遮挡。

11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中所述掩蔽材料遮挡所述第一光,使得在所述第一光与所述填充材料之间实质上不存在相互作用。

12.根据权利要求10所述的半导体器件,其中所述掩蔽材料遮挡所述第一光,使得由于在所述第一光与所述填充材料之间的相互作用而产生的热的量降低。

13.根据权利要求10所述的半导体器件,其中将所述多个半导体器件嵌入使得所述掩蔽材料位于所述填充材料与所述基板之间。

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