[发明专利]激光剥离掩模

说明书

公开了与激光剥离掩模有关的技术。在一些实施例中，将掩蔽材料施加到与多个半导体器件集合附接的基板。更具体地，将掩蔽材料施加到基板的在半导体器件集合之间的一个或多个区域。当半导体器件集合被嵌入在填充材料中时，掩蔽材料可以位于基板与填充材料之间。因此，使光朝向半导体器件集合透射穿过基板使得基板变为与半导体器件集合脱离。然而，光至少部分地被掩蔽材料遮挡。

背景技术

本公开总体上涉及半导体器件制造，并且更具体地涉及激光剥离掩模。

半导体器件已经在电子学中变得普遍，以用于提供诸如尺寸降低、耐用性改善和效率增加之类的益处。例如，与白炽灯泡对比，发光二极管(LED)通常更小，持续时间长几倍，并且将更多的能量成比例地转换为光而不是热。因此，半导体器件甚至已经进入显示系统，诸如在电视、计算机监控器、膝上型计算机、平板电脑、智能电话、和可穿戴电子设备中发现的那些显示系统。特别地，微小LED可以用来形成显示系统的子像素。然而，制造这种微小LED可能是具有挑战性的。

例如，一些显示系统包含作为倒装芯片的微小LED。LED倒装芯片的制造往往涉及激光剥离(LLO)技术，以用于将LED与基板分离，在该基板上外延生长有LED。然而，如果LED薄，则在经受LLO技术时，它们倾向于破裂。关于破裂的直接原因存在很多理论，但是每种理论中的根本原因是激光与将LED嵌入的填充材料之间的相互作用。由于这种相互作用，制造了很多不可用的LED。

发明内容

本公开与涉及LLO掩模的半导体器件制造有关。在执行LLO时，LLO掩模可以用于保护填充材料免于与激光相互作用。结果，可以避免半导体器件的破裂。

在一些实施例中，一个或多个LLO掩模形成在与半导体器件集合附接的基板上。至少，该一个或多个LLO掩模覆盖在半导体器件集合之间的一个或多个间隙区域。

当执行LLO时，激光朝向半导体器件集合和该一个或多个LLO掩模透射穿过基板。只有一点点(如果有的话)阻止激光被半导体器件集合吸收。然而，LLO掩模可以阻止在激光与填充材料之间的任何显著相互作用。结果，可以执行LLO以使得半导体器件集合变为与基板脱离，而不会造成半导体器件集合破裂。

附图说明

参考以下附图描述说明性实施例。

图1示出了根据一个实施例的示例半导体器件。

图2A至图2D示出了根据一个实施例的用于执行LLO的示例方法。

图3示出了根据一个实施例的在没有LLO掩模的情况下执行LLO的示例结果。

图4A至图4B示出了根据一个实施例的示例LLO掩模。

图5A至图5D示出了根据一个实施例的用于使用正性光刻胶形成LLO掩模的示例方法。

图6A至图6F示出了根据一个实施例的用于使用负性光刻胶形成LLO掩模的示例方法。

图7A至图7B示出了根据一个实施例的用于去除LLO掩模的示例方法。

图8A至图8D示出了根据一个实施例的用于去除“有翼”LLO掩模的示例方法。

图9是流程图，其示出了根据一个实施例的用于使用一个或多个LLO掩模来执行LLO的示例方法。

图10示出了根据一个实施例的示例制造系统。

附图仅出于说明的目的而描绘了本公开的实施例。本领域技术人员将从以下描述中容易地认识到，在不脱离本公开的原理或所带来的益处的情况下，可以采用所示出的结构和方法的替代实施例。

具体实施方式