[发明专利]基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质

权利要求书

1.一种基片清洗方法，其特征在于，包括：

成膜处理液供给步骤，将含有挥发成分的用于在基片上形成膜的成膜处理液供给到所述基片；

剥离处理液供给步骤，对由于所述挥发成分的挥发而使所述成膜处理液在所述基片上固化或者硬化从而形成的处理膜，供给使该处理膜从所述基片剥离的剥离处理液；和

疏水化液供给步骤，对被供给了所述剥离处理液后的所述基片，供给使该基片疏水化的疏水化液。

2.如权利要求1所述的基片清洗方法，其特征在于，还包括：

对所述疏水化液供给步骤后的所述基片供给冲洗液的冲洗液供给步骤；和

从所述冲洗液供给步骤后的所述基片除去所述冲洗液的干燥步骤。

3.如权利要求2所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述疏水化液含有使所述基片疏水化的疏水剂和有机溶剂，

所述冲洗液是所述有机溶剂。

4.如权利要求2所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述疏水化液含有使所述基片疏水化的疏水剂和有机溶剂，

所述疏水化液供给步骤对被供给了所述剥离处理液后的所述基片供给所述有机溶剂，之后，对残留有所述有机溶剂的所述基片供给所述疏水剂。

5.如权利要求1或2所述的基片清洗方法，其特征在于：

还包括溶解处理液供给步骤，对所述剥离处理液供给步骤后且所述疏水化液供给步骤前的所述基片，供给使所述处理膜溶解的溶解处理液。

6.如权利要求5所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述疏水化液含有使所述基片疏水化的疏水剂和有机溶剂，

所述溶解处理液是所述有机溶剂。

7.如权利要求1或2所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述疏水化液含有使所述基片疏水化的疏水剂和有机溶剂，

所述基片清洗方法还包括对所述成膜处理液供给步骤前的所述基片供给所述有机溶剂的预润湿步骤。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述成膜处理液供给步骤将含有挥发成分的用于在基片上形成膜的成膜处理液供给到没有形成抗蚀剂的基片，

所述剥离处理液供给步骤通过对所述处理膜供给所述剥离处理液，来将所述处理膜以不使其溶解的方式从所述基片剥离。

9.如权利要求1～8中任一项所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述剥离处理液是纯水。

10.一种基片清洗系统，其特征在于，包括：

剥离处理液供给部，其对在被供给了含有挥发成分的成膜处理液的基片上由于所述挥发成分的挥发而使所述成膜处理液在所述基片上固化或者硬化从而形成的处理膜，供给使该处理膜从所述基片剥离的剥离处理液；和

疏水化液供给部，其对被供给了所述剥离处理液后的所述基片，供给使该基片疏水化的疏水化液。

11.如权利要求10所述的基片清洗系统，其特征在于：

还包括将所述成膜处理液供给到所述基片的成膜处理液供给部。

12.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：

存储有可在计算机上运行的用于控制基片清洗系统的程序，

所述程序在其被执行时，使计算机控制所述基片清洗系统，以进行权利要求1～9中任一项所述的基片清洗方法。