[发明专利]基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质

说明书

本发明的一方式的基片清洗方法包括成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤和疏水化液供给步骤。成膜处理液供给步骤将含有挥发成分的用于在基片(W)上形成膜的成膜处理液(L1)供给到基片(W)。剥离处理液供给步骤对由于挥发成分的挥发而使成膜处理液(L1)在基片(W)上固化或者硬化从而形成的处理膜(F)，供给使处理膜(F)从基片(W)剥离的剥离处理液(L2)。疏水化液供给步骤对被供给了剥离处理液(L2)后的基片(W)，供给使基片(W)疏水化的疏水化液。

技术领域

本发明涉及基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质。

背景技术

一直以来，已知有进行附着于硅晶片或化合物半导体晶片等的基片上的颗粒的除去的技术。

例如，在专利文献1中公开了基片清洗方法，其在基片的表面形成处理膜，将该处理膜以“膜”的状态进行剥离，从而将基片上的颗粒连同处理膜一起除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-119164号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种技术，其在基片的表面形成处理膜，将该处理膜以“膜”的状态进行剥离，从而将基片上的颗粒连同处理膜一起除去的技术中，能够抑制基片的干燥处理时的图案毁坏。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式的基片清洗方法包括成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤和疏水化液供给步骤。成膜处理液供给步骤将含有挥发成分的用于在基片上形成膜的成膜处理液供给到基片。剥离处理液供给步骤对由于挥发成分挥发而使成膜处理液在基片上固化或者硬化从而形成的处理膜，供给使处理膜从基片剥离的剥离处理液。疏水化液供给步骤对被供给了剥离处理液后的基片，供给使基片疏水化的疏水化液。

发明效果

依照本发明，在基片的表面形成处理膜，将该处理膜以“膜”的状态进行剥离，从而将基片上的颗粒连同处理膜一起除去的技术中，能够抑制基片的干燥处理时的图案毁坏。

附图说明

图1A是第一实施方式的基片清洗方法的说明图。

图1B是第一实施方式的基片清洗方法的说明图。

图1C是第一实施方式的基片清洗方法的说明图。

图1D是第一实施方式的基片清洗方法的说明图。

图1E是第一实施方式的基片清洗方法的说明图。

图2是表示第一实施方式的基片清洗系统的结构的示意图。

图3是表示第一实施方式的基片清洗装置的结构的示意图。

图4是表示第一实施方式的基片清洗处理的流程的流程图。

图5是第一实施方式的基片清洗处理的说明图。

图6是表示第二实施方式的基片清洗装置的结构的示意图。

图7是第二实施方式的基片清洗处理的说明图。

图8是表示第三实施方式的基片清洗处理的流程的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图，详细地说明用于实施本发明的基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质的方式(以下，记为“实施方式”)。此外，本发明的基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质并不由该实施方式限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。