[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一基板，所述第一基板包括第一接合部；和

第二基板，所述第二基板包括第二接合部，所述第二接合部被接合至所述第一接合部，其中

所述第一基板进一步包括第一多层配线层，在所述第一多层配线层中，形成为最靠近与所述第二基板的接合面的第一配线的一个表面面向第一绝缘层，而所述第一配线的与所述一个表面相对的另一表面和第二绝缘层接触，所述第一多层配线层隔着所述第一绝缘层电连接至所述第一接合部，所述第二绝缘层的相对介电常数低于所述第一绝缘层的相对介电常数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层是使用相对介电常数为1.5以上且3.8以下的材料形成的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层是使用Low-k材料形成的。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层包括SiOC、SiOCH、多孔二氧化硅、SiOF、无机SOG、有机SOG和聚烯丙基醚中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层是使用相对介电常数为4.0以上且8.0以下的材料形成的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层包括SiO、SiN、SiON、SiC和SiCN中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包括所述第一配线的所述第一多层配线层是以L/S(线和空间)为120/120mm以下的配线规则形成的。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第一接合部和所述第一配线经由过孔连接，并且

所述第一接合部和所述过孔的总膜厚为1μm以上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一接合部和所述过孔分别具有双镶嵌结构。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一接合部和所述过孔分别具有单镶嵌结构。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一基板进一步包括功能元件。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述功能元件为传感器元件。

13.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

依次形成第一多层配线层和第一接合部，以形成第一基板，在所述第一基板中，所述第一多层配线层的形成为最靠近所述第一接合部的第一配线的一个表面面向第一绝缘层，且所述第一配线的与所述一个表面相对的另一表面和第二绝缘层接触，所述第一多层配线层包括作为层间绝缘层的所述第二绝缘层，所述第一接合部的周围具有所述第一绝缘层，所述第二绝缘层的相对介电常数低于所述第一绝缘层的相对介电常数；并且

形成第二接合部作为第二基板，然后将所述第一接合部和所述第二接合部接合在一起。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，使用双镶嵌配线法形成过孔，所述过孔将所述第一接合部和所述第一多层配线层的所述第一配线连接。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，使用单镶嵌配线法形成过孔，所述过孔将所述第一接合部和所述第一多层配线层的所述第一配线连接。