[发明专利]EUV表膜

权利要求书

1.一种表膜，包括：

表膜芯；

碳化硅粘合层；和

钌罩盖层，所述钌罩盖层与所述碳化硅粘合层接触。

2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述芯包括不同于碳化硅的材料。

3.根据权利要求1或2所述的表膜，其中，所述芯包括硅、石墨烯、氮化硅、锆或其它合适的芯材料，优选地，所述芯包括氮氧化硅或石墨烯。

4.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述钌罩盖层实质上覆盖所述碳化硅粘合层的全部。

5.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述碳化硅粘合层直接设置于所述芯上。

6.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述碳化硅粘合层比所述芯更薄。

7.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述碳化硅粘合层设置于所述芯的一侧或两侧上。

8.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述钌罩盖层设置于所述表膜的一侧或两侧上。

9.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述碳化硅粘合层的厚度为约1nm至约5nm。

10.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述钌罩盖层的厚度为约1nm至5nm。

11.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述芯的厚度为约20nm至约60nm。

12.一种制备表膜的方法，包括以下步骤：

(i)设置表膜芯；

(ii)在所述表膜芯上设置碳化硅粘合层；和

(iii)设置与所述碳化硅粘合层相接触的钌罩盖层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述碳化硅粘合层直接沉积于所述表膜芯上，并且其中，所述钌罩盖层直接沉积于所述碳化硅粘合层上。

14.一种根据权利要求1至11中任一项所述的表膜或根据权利要求12至13中任一项所述的方法制造的表膜在光刻设备中的用法，优选地在EUV光刻设备中的用法。

15.一种碳化硅的用法，所述碳化硅作为粘合层而用于EUV表膜的钌罩盖层。

16.一种用于光刻设备的组件，所述组件包括：根据权利要求1至11中任一项所述的表膜或根据权利要求12或13的方法制造的表膜，以及用于支撑所述表膜的框架。

17.根据权利要求16的组件，还包括掩模版。

18.一种光刻设备，包括根据权利要求16或17中任一项所述的组件。

19.根据前述权利要求中任一项所述的表膜，其中，所述表膜具有高于87％的EUV透射率。

20.一种表膜，包括位于一个面上的含碳覆盖层和位于相反面上的非含碳覆盖层。

21.根据权利要求20所述的表膜，还包括表膜芯，所述含碳覆盖层布置于所述表膜芯的一个面上，并且所述非含碳覆盖层布置于所述表膜芯的相反面上。

22.根据权利要求21所述的表膜，其中，所述表膜芯的所述一个面是所述表膜的面向掩模版侧。