[发明专利]EUV表膜

说明书

一种表膜包括：芯，所述芯包括不同于碳化硅的材料；碳化硅粘合层；以及钌罩盖层，所述钌罩盖层与所述碳化硅粘合层接触。还描述了一种制备表膜的方法，包括以下步骤：(i)设置表膜芯；(ii)在表膜芯上设置碳化硅粘合层；以及(iii)设置与所述碳化硅粘合层相接触的钌罩盖层。还提供一种碳化硅在EUV表膜中作为粘合层的用法，以及一种组件。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年6月22日递交的EP申请18179320.9和2018年11月1日递交的EP申请18203954.5的优先权，上述EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及表膜、制备表膜的方法、表膜在光刻设备中的用法、碳化硅作为粘合层的用法、用于包括表膜的光刻设备的组件、包括表膜的光刻设备。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如掩模)投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备使用以将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了可形成于该衬底上的特征的最小大小。与常规光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)相比，使用作为具有在4至20nm范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射被提供穿过所述图案形成装置或从所述图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供表膜以保护所述图案形成装置免受空气中悬浮的粒子和其它形式的污染物影响。所述图案形成装置的表面上的污染物可能造成所述衬底上的制造缺陷。

也可以提供设置以用于保护除了图案形成装置以外的光学部件。表膜也可以用于在光刻设备的彼此密封的区之间提供用于光刻辐射的通路。表膜也可以用作滤光器，诸如光谱纯度滤光器。由于光刻设备(特别是EUV光刻设备)内部的有时恶劣的环境，需要表膜展现极佳的化学稳定性和热稳定性。

掩模组件可以包括保护图案形成装置(例如掩模)免受粒子污染的表膜。所述表膜可以由表膜框架支撑，从而形成表膜组件。可以例如通过将表膜边界区胶合至所述框架来将所述表膜附接至框架。所述框架可以永久地或者以可释放方式附接至图案形成装置。

在使用期间，光刻设备中的表膜的温度升高至从约500℃至1000℃或更高的任何温度。这些高温可能损害所述表膜，并且因此需要改善耗散热以便降低所述表膜的操作温度并且改善表膜使用寿命所用的方式。

已尝试的一种方式是将薄金属膜(涂层)涂覆于所述表膜上。金属膜增大所述表膜的辐射率，并且由此提高热从所述表膜发出的速率，由此导致所述表膜以与其吸热相同的速率发出热的平衡温度有所降低。所述金属层设置于所述表膜的芯的一面上，它可以是例如硅晶片。

然而，在相对低温度沉积于惰性衬底上的金属膜处于能量上不利的状态，并且薄金属膜在衬底上的加热或退火导致在远低于所述金属膜的熔点的温度具有热不稳定性。如此，当所述金属膜被加热时，提供充足能量以致使孔形成于所述金属膜中，所述孔经由表面扩散过程而形成。所述孔生长并且最终聚结以形成形状不规则的岛状物。膜破裂以形成孔并且最终形成岛状物或液滴的这种过程被称为脱湿(dewetting)。尽管此过程在某些情形下(诸如形成催化剂粒子以用于碳纳米管的生长)可以是有益的，但在其它领域中，这是极其不期望的。例如，在微电子领域中，脱湿致使电互连发生故障或失效，并且对于表膜(诸如EUV表膜)，脱湿改变发射金属层的功能性。因此，本发明的目标是推迟或防止金属膜的脱湿。

由于金属层增加了所述表膜的热发射率，因此当表膜变热时，金属膜辐射且控制所述表膜的温度。当金属膜脱湿以形成岛状物时，发射率非常迅速地下降至可忽略的值，从而导致显著的温度上升及随之发生的表膜故障或失效。