[发明专利]磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法

权利要求书

1.一种磁阻抗传感器，包括：

线状的磁性导体；

绝缘体层，形成于所述磁性导体的外周面；以及

第一线圈、第二线圈、及第三线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述磁阻抗传感器中，

所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由导电层形成，

所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。

2.根据权利要求1所述的磁阻抗传感器，其中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由固定部固定。

3.根据权利要求1或2所述的磁阻抗传感器，其中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。

4.一种磁阻抗传感器的制造方法，包括：

绝缘步骤，在线状的磁性导体的外周面形成绝缘体层；

导电层形成步骤，在所述绝缘体层的外周面形成导电层；

抗蚀剂步骤，在所述导电层的外周面形成抗蚀剂层；

曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面分别形成螺旋状的第一沟道部、第二沟道部、及第三沟道部，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第一沟道部与所述第二沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第一间隙，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第二沟道部与所述第三沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第二间隙；

蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述第一沟道部、所述第二沟道部、所述第三沟道部、所述第一间隙、及所述第二间隙中的所述导电层，由此，由残存于所述第一沟道部的周围的所述导电层形成第一线圈，由残存于所述第二沟道部的周围的所述导电层形成第二线圈，由残存于所述第三沟道部的周围的所述导电层形成第三线圈；以及

折弯步骤，通过将所述磁性导体及所述绝缘体层在所述第一线圈与所述第二线圈之间、及所述第二线圈与所述第三线圈之间折弯，而将所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。

5.根据权利要求4所述的磁阻抗传感器的制造方法，包括固定步骤，所述固定步骤中由固定部来固定在所述折弯步骤中所配置的所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈。

6.根据权利要求4或5所述的磁阻抗传感器的制造方法，其中，在所述曝光步骤中，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第一沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第一端部，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第三沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第二端部，将所述第一端部、所述第一沟道部、所述第一间隙、所述第二沟道部、所述第二间隙、所述第三沟道部、及所述第二端部相互隔开地形成，

在所述蚀刻步骤中，在所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈各自的两端部残存的所述导电层形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。