[发明专利]磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法

说明书

磁阻抗传感器1A包括：非晶线2；绝缘体层3，形成于非晶线2的外周面；以及X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z，以螺旋状形成于绝缘体层3的外周面，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z由导电层形成，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。

技术领域

本发明涉及一种磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法，详细而言，涉及一种以简单的结构制造磁阻抗传感器的技术。

背景技术

以往，已知有一种磁阻抗(Magneto Impedance，MI)传感器，其包括：包含非晶线(Amorphous wire)的磁性导体；以及经由绝缘体而卷绕于磁性导体的周围的电磁线圈(例如，参照专利文献1)。在所述专利文献中记载如下MI传感器：在绝缘体的外周面对包含铜的金属材料进行真空蒸镀而形成金属膜，之后通过选择蚀刻来形成电磁线圈。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3781056号公报

发明内容

MI传感器是通常为了以三维(或二维)感测对象物的静态特性或动态特性，而通过如所述现有技术那样将三个(或两个)MI元件相互正交地配置于X、Y、Z方向上来构成。各个MI元件的中心轴使用非晶系的磁性导体，以缠绕所述磁性导体的周围的方式形成线圈(拾取线圈)。而且，在磁性导体流动脉冲电流，利用线圈检测其反应。

在所述结构中，由于MI元件自身小，因此组合多个MI元件而安装在基板的作业变得复杂。另外，为了在中心所包括的磁性导体的两端流动脉冲电流，需要将连接在各个两端的配线各别取出到外部。即，例如，在三维的MI传感器中，需要从三个MI元件中的各个磁性导体取出共计六条配线。

另外，在使用半导体工艺的MI元件的情况下，需要将线圈的上部与下部分开形成，因此无法自由地增加匝数。此外，无法使线圈的剖面为圆形，磁性导体与线圈之间的距离不会一定，因此产生了电损耗。

进而，在通过将漆包线等线材缠绕于空芯的圆筒形材料而形成线圈的MI元件的情况下，可比较自由地设定线圈的匝数。但是，在线圈形成后必须插通磁性导体作为芯线，结果产生了芯线与线圈之间的空间，因此产生了电损耗。此种电损耗成为MI元件中的探测精度的偏差的因素，并且成为MI元件的个体差异的原因。

此外，需要从不同的电路向X、Y、Z各方向的磁性导体施加高频脉冲，或将磁性导体彼此在外部加以连接而施加脉冲。但是，在前者中，难以使向各方向的高频脉冲严格地相同，另外，在后者中，输出容易因连接部分的电阻而变动，因此，成为在MI传感器中产生X、Y、Z方向的个体差异的原因。

本发明是鉴于如以上那样的状况而成，本发明所要解决的问题在于提供一种MI传感器及MI传感器的制造方法，其可简化安装作业，通过在磁性导体与线圈之间不空开空间而使距离一定，可降低电损耗，可抑制各个MI传感器的个体差异及MI传感器在X、Y、Z方向的个体差异的产生。

为了解决所述问题，本发明提供一种以下构成的MI传感器及MI传感器的制造方法。

本发明的一例的MI传感器包括：线状的磁性导体；绝缘体层，形成于所述磁性导体的外周面；以及第一线圈、第二线圈、及第三线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述MI传感器中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由导电层形成，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。