[发明专利]静电卡盘用供电装置及基板管理方法在审
申请号: | 201980043302.8 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN112335031A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 藤井克德;伊藤真规;岩田康 | 申请(专利权)人: | 日本爱发科泰克能株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红;秦岩 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 供电 装置 管理 方法 | ||
本发明提供一种静电卡盘用供电装置,在将被处理基板设置于静电卡盘上后,吸附被处理基板并实施处理,直到在处理后对吸附进行释放并运输被处理基板为止的一系列操作期间,可掌握被处理基板相对于静电卡盘的状态。本发明的静电卡盘用供电装置(PS1)具有:直流电源部(6a、6b),其向静电卡盘(Ec)上设置的电极(3a、3b)施加直流电压;及交流电源部(7),其流通经过静电卡盘的静电电容的交流电流。还具有切换装置(8a、8b),以为了将被处理基板吸附保持在静电卡盘上而从直流电源部向电极施加卡盘电压的电路为第一电路(C1),以对被处理基板进行除电用的电路作为第二电路(C2),所述切换装置(8a、8b)切换第一电路和第二电路;在第二电路上设置有交流电源部和测量交流电流或交流电压的电压计(9)。
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘用供电装置及用于使用该供电装置管理基板相对于静电卡盘的吸附、释放的基板管理方法。
背景技术
在半导体制造工序中,为了得到所需的器件结构,会对硅晶片和玻璃基板等被处理基板实施溅射法及等离子体CVD法等的成膜处理、热处理、离子注入处理和蚀刻处理等各种处理。在进行这些处理的处理装置中具有静电卡盘,其用于在真空气氛中的真空室内定位并保持被处理基板。静电卡盘例如具有金属材质的基台和安装在其表面的例如PBN(热解氮化硼)材质的陶瓷板(卡板),在该卡板中内置有一对电极(所谓的双极型)。并且,为了向一对电极间施加直流电压(卡盘电压)而使用供电装置,由通过在两电极间施加直流电压而产生的静电力将被处理基板吸附保持(固定操作)在卡板表面。
此处,如果重复被处理基板相对于卡板的吸附和其释放,则卡板表面会受被处理基板摩擦而逐渐磨损。并且,当卡板磨损时,会在被处理基板吸附到卡板表面时和处理过程中发生被处理基板的吸附不良,从而不能实施对被处理基板的正常处理。因此,通常已知的是供电装置还具有:交流电源部,其流通经过卡板的静电电容的交流电流;以及测量器,其测量此时的电压等;通过监视测量器上的测量值,掌握发生吸附不良等被处理基板的状态(例如参见专利文献1)。交流电源部一般具有变压器,变压器的二次侧介于直流电源部的正(高电压侧)输出上,为了吸附被处理基板而与一对电极间施加的直流电压重叠地流通交流电流。
然而,有时卡板上设置的处理前的被处理基板上已经产生了裂纹和残缺,再有,出于一些原因运输基板时,有时被处理基板相对于静电卡盘的卡板会发生位置偏移。除这样的裂纹、残缺、偏移外,在将被处理基板设置在卡板时有时也会夹杂异物,这种情况下也会发生吸附不良。再有,在处理后的被处理基板带电的情况下,当被处理基板除电不充分时,一旦从卡板强行脱离,被处理基板会产生裂纹、残缺,或出现位置偏移。由此,为了管理被处理基板相对于静电卡盘的吸附、释放,需要能掌握被处理基板的状态。但是,在上述以往例子中,存在只有在向一对电极间施加直流电压时才能流通交流电流并掌握被处理基板的状态的问题。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】日本再公表WO2011/125292号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
鉴于以上内容,本发明要解决的技术问题是提供一种静电卡盘用供电装置及基板管理方法,其中,在将被处理基板设置于静电卡盘上后,吸附被处理基板并实施处理,到在处理后对吸附进行释放并运输被处理基板为止的一系列操作期间,都可掌握被处理基板相对于静电卡盘的状态。
解决技术问题的手段
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造