[发明专利]博莱霉素用于模拟电离辐射对T细胞的效应

说明书

本发明涉及一种用于模拟电离辐射对细胞效应的方法，其中所述细胞与博莱霉素接触。

技术领域

本发明涉及电离辐射对细胞，特别是对淋巴细胞的效应的测定。更具体地说，本发明涉及在不使用电离辐射的情况下，模拟电离辐射对细胞效应的方法。本发明的方法特别可用于在电离辐射治疗/辐射疗法治疗之前评估受试者的个体辐射敏感性。

背景技术

电离辐射治疗是肿瘤学的主要治疗方式之一，50％以上的诊断具有癌症的患者在其治疗过程中接受过电离辐射治疗。虽然通过电离辐射的治疗主要是局部治疗，但患者在治疗区域(尤其是肿瘤周围组织中)暴露于毒性的风险中，其可发展为急性(即，在前3个月)或晚期(即，在治疗之后超过3个月以上)。因为恢复可能不完全，严重的急性毒性可能会具有晚期后果。此外，晚期毒性可能会随着时间的推移而发生，并经常持续存在，在癌症幸存者中对生活质量产生重大负面影响。

已知有许多因素会增加辐射诱导毒性的风险，包括个体辐射敏感性(Azria，Betz等人，2012年)。虽然对患者群体的毒性风险是已知的，但在治疗前很难确定个体正常组织的辐射敏感性。因此，目前的实践标准通常根据标准建议中的临床情景来规定辐射剂量，而不考虑待辐射个体的基因型或表型。

此前，基于对RILA(辐射诱导T-淋巴细胞凋亡)的流式细胞术评估，开发辐射敏感性诊断测试。这项诊断测试被描述为具有明显的潜力用于选择可能对电离辐射治疗显示出增加的毒性概率的个体(Ozsahin，Crompton等人2005年)。

然而，RILA测试涉及到用电离辐射处理细胞的步骤。因此，在没有配备细胞辐射器、没有被授权使用这种设备的标准医学分析实验室中，可能不会容易和常规地实施RILA测试。

WO 2014/154854公开了用于模拟电离辐射对T细胞(T淋巴细胞)效应的体外方法，包括将所述T细胞与辐射模拟剂(如博莱霉素)接触，但未公开或建议本文公开的持续时间。

Ozsahin等人(Clin Cancer Res，2005年10月15日；11(20)：7426-33)公开，辐射诱导的T-淋巴细胞凋亡可明显地预测个体之间的晚期毒性差异，并可用于快速筛查对辐射治疗超敏感的患者。

Weng等人(Mutat Res.，2008年3月29日；652(1)：46-53)通过体外测量诱导的和基础的DNA损伤，表征了人白细胞的不同亚群暴露于H₂O₂(氧化剂)和博莱霉素(辐射模拟(radiomimetic)糖肽)后的不同敏感性。

Adema等人(Int J Radiat Biol.，2003年8月；79(8)：655-61)表明，在染色单体断裂的G2分析中，博莱霉素和辐射具有相同的敏感性表型(这可以被认为是对DNA损伤反应的辐射敏感性易感基因的标记)。然而，该试验不同于如上所述的RILA，细胞暴露于博莱霉素的持续时间也不同于本文所述的试验。

Tedeschi等人(Mutat Res.，2004年2月26日；546(1-2)：55-64)描述阿非迪霉素(APC)和博莱霉素(BLM)在体外处理培养的人淋巴细胞中进行诱导后，在诱导染色体损伤的个体表达中某种遗传学基础。博莱霉素的暴露时间与本文公开的不同。

Azria等人(Cancer Radiother.，2008年11月12日(6-7)：619-24)公开最近CD4和CD8淋巴细胞凋亡低百分比与高度的后遗症有关，并且患有严重辐射诱导晚期副作用的患者在候选基因(ATM、SOD2、TGFB1、XRCC1和XRCC3)上存在4个或更多SNP，并在体外低辐射-诱导CD8淋巴细胞凋亡。

所有这些文件都表明，在某些条件下，可以使用博莱霉素产生与某些辐射相同类型的DNA断裂。然而，对于博莱霉素模拟RILA所用辐射条件的能力，以及是否可以产生能够取代RILA的体外测试，这些文献都没有提及。