[发明专利]含高度支化聚合物的制剂、高度支化聚合物和含此高度支化聚合物的电光器件

权利要求书

1.一种制剂，所述制剂包含：

A)至少一种高度支化聚合物，所述至少一种高度支化聚合物含有：

-30至70mol％的至少一种空穴传输重复单元A、

-5至30mol％的至少一种支化重复单元B、

-5至30mol％的至少一种其它重复单元C、和

-5至40mol％的至少一种端基E，

-其中所述重复单元A、B和C彼此不同，以及

B)至少一种有机溶剂，

-其特征在于所述制剂具有≤25mPas的粘度。

2.根据权利要求1所述的制剂，其特征在于所述制剂包含有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的制剂，其特征在于所述制剂包含两种或更多种有机溶剂的混合物。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述至少一种有机溶剂具有至少200℃的沸点。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂中的所述高度支化聚合物的浓度在5至50g/l的范围内。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述高度支化聚合物具有在15,000至1,000,000g/mol范围内的分子量Mw。

7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述空穴传输重复单元A选自三芳基胺、联苯胺、四芳基-对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并-对二氧杂己熳环、吩噻、咔唑、薁、噻吩、吡咯和呋喃衍生物以及另外含O、S或N的杂环化合物，优选地三芳基胺单元。

8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的制剂，其特征在于空穴传输重复单元A选自下式(A)的三芳基胺单元

其中

Ar¹至Ar³在每次出现时在每种情况下相同地或不同地是可以被一个或多个基团R取代的具有5至60个芳族环原子的单环或多环的芳族或杂芳族环系；

R在每次出现时相同地或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R¹)₂，CN，NO₂，Si(R¹)₃，B(OR¹)₂，C(＝O)R¹，P(＝O)(R¹)₂，S(＝O)R¹，S(＝O)₂R¹，OSO₂R¹，在每种情况下可以被一个或多个基团R¹取代的具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中一个或多个非相邻CH₂基团可以被R¹C＝CR¹、C≡C、Si(R¹)₂、C＝O、C＝S、C＝NR¹、P(＝O)(R¹)、SO、SO₂、NR¹、O、S或CONR¹替代并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN替代，或者在每种情况下可以被一个或多个基团R¹取代的具有5至60个芳族环原子的单环或多环的芳族或杂芳族环系，或者可以被一个或多个基团R¹取代的具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或者可以被一个或多个基团R¹取代的具有5至60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，或者可以被一个或多个基团R¹取代的具有10至40个芳族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或者可交联基团Q，其中两个或更多个基团R也可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系；

R¹在每次出现时相同地或不同地是H、D、F或具有1至20个C原子的脂族烃基团、具有5至20个C原子的芳族和/或杂芳族烃基团，其中，另外，一个或多个H原子可以被F替代；其中两个或更多个取代基R¹也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且

虚线代表与聚合物中相邻结构单元连接的键。