[发明专利]复合密封件

说明书

技术问题是提供一种复合密封件，该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能，使用时不需要较强的按压力，无产生颗粒之虞，并且能够长期地维持真空密封性能，该技术问题的解决手段的特点是，所述复合密封件是由第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件，其中，所述第一构件包括密封主体部以及从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置的唇部，所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。

技术领域

本发明涉及在真空状态下使用的复合密封件，涉及例如在干蚀刻装置或等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的复合密封件。

背景技术

随着电子工业的发展，作为I C(集成电路)、LS I(大规模集成电路)等的电子部件的材料的半导体的制造技术特别是像个人计算机等那样伴随着高精度化和薄型化而取得了显著的进步。

因此，对半导体制造装置中使用的部件的要求变得严格，例如在干蚀刻装置、等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的密封件也不例外。

但是，半导体制造装置中使用的密封件需要真空密封性能作为基本性能。此外，根据密封件的安装部位，要求兼具耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能。

以往，作为要求这样的真空密封性能和耐等离子性以及耐腐蚀气体性的密封件，如图10所示，使用由第一构件102和第二构件104构成的复合密封件100，其中，所述第一构件102由氟橡胶构成，所述第二构件104由比第一构件102硬质的材料且耐等离子性及耐腐蚀气体性良好的氟树脂构成(例如专利文献1)。

当这样的复合密封件100安装于在半导体制造装置150的一个构件152上设置的密封槽154时，例如在位于大气侧的密封槽154的一个壁156侧配置第一构件102，并且在位于暴露于蚀刻气体或等离子的一侧的密封槽154的另一个壁158侧配置第二构件104。

此外，在这种状态下，如图11所示，通过使一个构件152和另一个构件160靠近，而使得复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压，从而由第一构件102确保一个构件152与另一个构件160之间的密封状态，并且由第二构件104防止蚀刻气体或等离子侵入第一构件102侧，由此，第一构件102不会劣化，并且能够长期地维持密封性能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5126995号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，由于这种以往的复合密封件100在截面形状中为上下对称的块状，因此，如图11所示，在将复合密封件100安装于一个构件152的密封槽154，并且使一个构件152和另一个构件160靠近以将一个构件152与另一个构件160之间密封时，需要较强的按压力。

即，尽管复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压时发生变形，但是由于是块状，因此，压缩时的反作用力较强，为了获得由复合密封件100实现的密封性能，需要以较强的按压力对复合密封件100进行按压。

在这样将较强的按压力作用于复合密封件100时，第二构件104和密封槽154的另一个壁158接触，并且通过反复进行上述接触，从而第二构件104磨损，存在产生颗粒之虞。

颗粒的产生会影响密封性能，并且也会成为半导体制造装置150中的不良情况的原因，因此，是希望避免的现象之一，实际情况是需要新的复合密封件。

本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种复合密封件，该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能，使用时不需要较强的按压力，无产生颗粒之虞，并且能够长期维持真空密封性能。

解决技术问题所采用的技术方案