[发明专利]工件的表面平滑化

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括含硅层，其中所述含硅层的表面包括粗糙的部分，所述方法包括：

在第一腔室中使用感应耦合元件由工艺气体生成物质；

向所述物质中提供含氟气体和含氧气体以生成混合物；

将所述含硅层的表面暴露于所述混合物，使得所述混合物至少局部刻蚀所述粗糙的部分以留下所述含硅层的更光滑的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述粗糙的部分包括凹区域和凸区域，其中所述凹区域比所述凸区域更厚，其中所述混合物至少局部刻蚀所述凹区域大于所述凸区域以留下所述含硅层的更光滑的表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中相对于含氧气体的浓度含氟气体的浓度在约0.1％至约5％的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物同时至少局部氧化和至少局部刻蚀所述粗糙的部分以留下所述更光滑的表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体包括惰性气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体和所述含氧气体为部分的工艺气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件在通过隔栅与所述第一腔室分开的第二腔室中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述含氟气体和所述含氧气体的至少一种经位于在所述隔栅处或所述隔栅下方的等离子体后气体注入源引入，所述含氟气体和所述含氧气体的至少一种与所述物质混合以形成过滤的混合物，用于暴露于所述工件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅层包括晶体硅、多晶硅或硅锗。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体包括四氟甲烷(CF₄)、三氟化氮(NF₃)或具有式CF_xH_y的气体，其中x和y为正整数。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体包括氧(O₂)、水蒸气(H₂O)或氮氧化物(NO₂)。

12.根据权利要求1所述的方法，其中氧化层在所述含硅层的所述更光滑表面上形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括湿式工艺以至少局部去除所述氧化层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述更光滑的表面包括具有式SiO_xF_yC_z的材料，其中x、y和z为正整数。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述更光滑的表面经至少部分基于在至少局部粗糙的部分和所述混合物之间的反应的沉积工艺形成。

16.一种用于处理工件的等离子体处理装置，其包括：

具有工件支撑件的处理腔室，在等离子体处理期间所述工件支撑件被配置以支撑所述工件，其中所述工件包括含硅层，其中所述含硅层的表面包括粗糙的部分；

等离子体腔室，所述等离子体腔室通过隔栅与所述处理腔室分开；

感应耦合元件，所述感应耦合元件被配置以在等离子体腔室中使用工艺气体诱导等离子体；

注入含氟气体的第一气体源；

注入含氧气体的第二气体源；

其中通过将所述含氟气体和所述含氧气体与所述等离子体中生成的物质混合生成的混合物穿过所述隔栅以至少局部刻蚀所述粗糙的部分以留下所述含硅层的更光滑的表面。