[发明专利]工件的表面平滑化在审

申请号：	201980044610.2	申请日：	2019-12-18
公开（公告）号：	CN112368807A	公开（公告）日：	2021-02-12
发明（设计）人：	张祺;吕新亮;仲華	申请（专利权）人：	玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/3205;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32
代理公司：	北京市铸成律师事务所 11313	代理人：	闫茂娟;郗名悦
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	工件表面平滑
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【说明书】：

提供了用于处理工件的装置、系统和方法。在一个示例实施中，基于氟和氧等离子体的工艺可用于使硅和/或含硅结构的粗糙表面光滑。工艺可包括在第一腔室中使用感应耦合元件由工艺气体生成物质。工艺可包括引入含氟气体和含氧气体与物质以形成混合物。工艺可进一步包括将硅和/或含硅结构暴露于混合物，使得混合物至少局部刻蚀粗糙的部分以留下硅和/或含硅结构的更光滑的表面。

优先权声明

本申请要求于2018年12月21日提交的名称为“Surface Smoothing ofWorkpieces(工件的表面平滑化)”的美国临时申请系列号62/783,517的优先权的权益，其通过引用并入本文。本申请要求于2019年4月10日提交的名称为“Surface Smoothing ofWorkpieces(工件的表面平滑化)”的美国临时申请系列号62/832,055的优先权的权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及半导体处理和更具体地，用于平滑化工件的表面的表面处理工艺。

背景技术

半导体工件的处理可包括沉积和去除基材上的不同材料层。在半导体处理中，随着半导体设备中临界尺寸减小，设备尺寸和材料厚度持续减小。在先进的设备节点，材料表面特性比如粗糙度和界面完整性对于设备性能变得越来越重要。

发明内容

本发明的方面和优点将部分在以下描述中陈述，或可从描述中显而易见，或可通过本发明的实践而得知。

本公开的一个示例方面涉及用于处理工件的方法。工件可包括含硅层。含硅层的表面可包括粗糙的部分。方法可包括在第一腔室中使用感应耦合元件由工艺气体生成物质；向物质中提供含氟气体和含氧气体以生成混合物；和将含硅层的表面暴露于混合物，使得混合物至少局部刻蚀粗糙的部分以留下含硅层的更光滑的表面。

可对本公开的示例实施方式进行变化和修饰。

参考以下描述和所附权利要求，本发明的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图阐释了本发明的实施方式，并且与描述一起用来解释本发明的原理。

附图说明

指导本领域技术人员的实施方式的详细讨论阐释在参考了所附附图的说明书中，其中：

图1描绘了根据本公开的示例实施方式的结构上的示例表面平滑化工艺；