[发明专利]从氮化钛表面去除氧化物

权利要求书

1.一种用于处理等离子体处理装置中的工件的方法，所述方法包括：

将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上，所述工件具有氮化钛层；

对所述氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺，所述基于等离子体的氧化物去除工艺包括：

通过使用等离子体源在工艺气体中诱导等离子体生成一种或多种物质；

将工件暴露于等离子体中生成的物质；

其中，所述工艺气体包括第一气体和第二气体的混合物，所述第一气体包括含氢气体和含氮气体的一种或多种，所述第二气体包括含氟气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体包括H₂气体和N₂气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体包括NH₃气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体包括H₂气体、N₂气体和NH₃气体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二气体包括CF₄气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二气体包括NF₃气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括H₂气体、N₂气体和CF₄气体，H₂气体的流速在约1000SCCM至约8000SCCM的范围内，N₂气体的流速在约1000SCCM至约8000SCCM的范围内，CF₄气体的流速在约0.1SCCM至约220SCCM的范围内。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述工艺气体的总流速在约2000SCCM至约15000SCCM的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在基于等离子体的氧化物去除工艺期间，所述处理腔室中的压力在约200mTorr至约1500mTorr的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在基于等离子体的氧化物去除工艺期间，工件的温度在约90℃至约400℃的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，等离子体源包括感应耦合的等离子体源。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体在通过隔栅与处理腔室隔开的等离子体腔室中生成。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括在处理腔室中对工件进行基于等离子体的工艺，不用取出工件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述基于等离子体的工艺包括等离子体刻蚀工艺、等离子体去胶工艺或等离子体表面处理工艺的一种或多种。

15.一种用于处理工件的方法，包括：

将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上，所述工件包括氮化钛层；

通过在等离子体腔室中的工艺气体中诱导等离子体生成一种或多种物质；

使用将等离子体腔室与处理腔室隔开的隔栅从一种或多种物质过滤一种或多种离子；

将等离子体腔室下游的含氟气体注入到一种或多种物质中以生成第二混合物；

将工件暴露于处理腔室中的第二混合物，以从氮化钛层去除氧化物。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述含氟气体包括NF₃。