[发明专利]从氮化钛表面去除氧化物

说明书

提供了用于从氮化钛表面去除氧化物的系统和工艺。在一个示例实施中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：使用等离子体源在工艺气体中通过诱导等离子体生成一种或多种物质；和将工件暴露于等离子体中生成的物质。工艺气体可包括第一气体和第二气体的混合物。第一气体可包括含氢气体和含氮气体的一种或多种。第二气体可包括含氟气体。

优先权声明

本申请要求2018年8月31日提交的名称为“Oxide Removal from TitaniumNitride Surfaces(从氮化钛表面去除氧化物)”的美国临时申请系列号62/725,337的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及半导体加工，并且更具体地涉及从工件，比如半导体工件去除氧化物。

背景技术

在半导体加工中，在集成电路的制造中氮化钛表面可用作导电性扩散阻挡层。例如，氮化钛可用作半导体材料(例如，Si、SiGe等)和金属(比如铝、铜或钨)之间的导电性扩散阻挡体。作为扩散层，氮化钛可减少金属和其他杂质(其可大幅度地改变设备性能)扩散入半导体材料。作为导电层，氮化钛层可用作金属和半导体层之间的导电性接触层。

发明内容

本公开的实施方式的各方面和优点将部分在以下描述中陈述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践而得知。

本公开的一个示例方面涉及用于处理等离子体处理装置中的工件的方法。该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：通过使用等离子体源在工艺气体中诱导等离子体生成一种或多种物质；和将工件暴露于等离子体中生成的物质。工艺气体可包括第一气体和第二气体的混合物。第一气体可包括含氢气体和含氮气体的一种或多种。第二气体可包括含氟气体。

参考以下描述和所附权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关的原理。

附图说明

在参考所附附图的说明书中，阐释了针对本领域普通技术人员的实施方式的详细讨论，其中：

图1描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置；

图2描绘了根据本公开的示例实施方式的示例方法的流程图；

图3描绘了根据本公开的示例实施方式的示例方法的流程图；

图4描绘了根据本公开的示例实施方式的与示例氧化物去除工艺相关的示例结果；

图5描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体后气体注入；

图6描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置；以及

图7描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置。

详细描述

现在将对在附图中阐释了其一个或多个实施例的实施方式进行详细描述。以解释各实施方式，而非限制本公开的方式提供每个实施例。实际上，对本领域技术人员明显的是，在不偏离本公开的范围或精神的情况下，可对各实施方式进行各种修改和变化。例如，阐释或描述为一个实施方式的一部分的特征可与另一个实施方式一起使用，以产生又一个实施方式。因此，期望本公开的各方面覆盖这种修改和变化。