[发明专利]清洁方法和基片处理装置在审
申请号: | 201980045291.7 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN112385017A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 池田恭子;土桥和也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 方法 处理 装置 | ||
1.一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法,其特征在于,包括:
将所述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序;
向所述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序;和
向所述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。
2.如权利要求1所述的清洁方法,其特征在于:
所述第2工序间歇地供给所述第1气体,形成冲击波。
3.如权利要求1或2所述的清洁方法,其特征在于:
并行地执行所述第2工序和所述第3工序。
4.如权利要求1或2所述的清洁方法,其特征在于:
交替地执行所述第2工序和所述第3工序。
5.如权利要求1~4中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述工作台可旋转,
在执行所述第2工序和所述第3工序的期间,使所述工作台旋转。
6.如权利要求1~5中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
在执行所述第2工序和所述第3工序的期间,将所述腔室内排气。
7.如权利要求1~6中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述第2工序从设置于所述腔室的顶部的喷淋头供给所述第1气体。
8.如权利要求7所述的清洁方法,其特征在于:
在调节了所述喷淋头与所述工作台之间的距离后执行所述第2工序。
9.如权利要求7或8所述的清洁方法,其特征在于:
开闭与所述喷淋头相连的气体供给管的阀设置在所述腔室的正上方的位置,
所述第2工序打开所述阀,从所述气体供给管对所述喷淋头内供给所述第1气体。
10.如权利要求1~9中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述第3工序从在所述工作台的上方设置于径向上的喷射器供给所述第2气体。
11.如权利要求1~10中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述第3工序从设置于所述工作台的中央或所述腔室的侧壁的气体喷嘴供给所述第2气体。
12.如权利要求11所述的清洁方法,其特征在于:
所述气体喷嘴具有随着去往气口而扩展的锥状。
13.如权利要求11或12所述的清洁方法,其特征在于:
将所述气体喷嘴的气体孔位于正下方的角度设为0°,所述气体孔的角度θ在圆周方向上形成在满足﹣90°<θ<90°的位置。
14.如权利要求11~13中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
将所述气体喷嘴配置在设置于所述腔室的中央的气体供给管的外周内壁,所述清洁方法包括从设置于比所述腔室的中央靠外侧的位置的1个或多个排气口将所述第2气体排气的第4工序。
15.如权利要求11~13中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
将所述气体喷嘴配置在所述腔室的侧壁,所述清洁方法包括从设置于所述腔室的中央或所述工作台的下方的1个或多个排气口将所述第2气体排气的第4工序。
16.如权利要求1~15中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述第1气体是大气压以上的气体。
17.如权利要求1~16中任一项所述的清洁方法,其特征在于:
所述第2工序在使供给所述第1气体的气体供给管内的压力相对于所述腔室内的压力为5倍以上的状态下供给所述第1气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造