[发明专利]清洁方法和基片处理装置

说明书

本发明提供一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法，该清洁方法包括：将上述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序；向上述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序；向上述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。

技术领域

本发明涉及清洁方法和基片处理装置。

背景技术

例如，专利文献1中，作为从集尘体除去颗粒的手段，提出了使亚音速的气体在集尘体与晶片载置台之间的密闭空间中流动，将附着于集尘体的颗粒与气体一起回收到外部的方案。

此外，例如，专利文献2、3中，提出了对晶片照射气体簇(gas cluster)，以除去附着于晶片的颗粒的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-302185号公报

专利文献2：日本特开2015-26745号公报

专利文献3：日本特开2015-41646号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够有效地除去附着于腔室内的工作台的污染物的技术。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个方面，提供一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法，其包括：将上述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序；向上述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序；和向上述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。

发明效果

依照该一个方面，能够有效地除去附着于腔室内的工作台的污染物。

附图说明

图1是表示现有的清洁方法的一个例子的图。

图2是用于说明一个实施方式的冲击波的图。

图3是表示一个实施方式的冲击波的产生过程的模拟结果的一个例子的图。

图4是表示一个实施方式的工作台和喷淋头的距离与冲击波的关系的模拟结果的一个例子的图。

图5是表示一个实施方式的成膜装置的一个例子的图。

图6是俯视图5的成膜装置的图。

图7是表示第1实施方式的清洁方法的一个例子的流程图。

图8是表示第2实施方式的清洁方法的一个例子的流程图。

图9是表示第3实施方式的清洁方法的一个例子的流程图。

图10是表示一个实施方式的成膜装置的气体管线的一个例子的图。

图11是表示一个实施方式的N₂气体的导入的一个例子的图。

图12是表示一个实施方式的N₂气体的导入的一个例子的图。

图13是表示一个实施方式的成膜装置的一个例子的图。

图14是表示一个实施方式的旋风气流和排气的一个例子的图。

图15是表示一个实施方式的气体喷嘴的一个例子的图。

图16是表示一个实施方式的气体喷嘴的形状和模拟结果的一个例子的图。

具体实施方式

下面，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。另外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，而省略重复说明。