[发明专利]通过近红外光辐射固化的内部光提取层

说明书

一种用于形成用于改善的光提取的制品的工艺包括：提供基底基板；将前驱物安置于所述基底基板上，所述前驱物具有：具有在10nm至1μm的范围内的平均直径且包括无机氧化物和有机粘结剂的粒子；使所述前驱物暴露于具有在500nm至2000nm的范围内的峰值发射波长的第一辐射持续在1秒至300秒的范围内的时间，以形成多孔光提取层，所述多孔光提取层具有在10nm至1000nm的范围内的平均孔直径，使得所述多孔光提取层使所述制品的光输出提高了1.7倍或更多。

技术领域

本申请根据35 U.S.C.§119要求2018年6月21日提交的美国临时申请第62/687948号的优先权的权益，所述申请的内容为本申请的基础且以全文引用的方式并入本文。

本公开内容涉及通过近红外线辐射(near infrared radiation；NIR)固化的内部光提取层。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)使用从激发发射的能量产生光的光发射元件，激发通过经由阴极注入的电子与经由阳极注入的空穴的重组造成。OLED具有多种优点，诸如低电压驱动、自发射、宽视角、高分辨率、自然色再现性和短响应时间。OLED照明也是有利的，这是因为其为将眩光减至最小的漫射光源。OLED与传统发光二极管(light emitting diode；LED)相比产生更少热，这节约了电力和材料使用。

OLED照明的一个挑战是光效率损失，其通常由导致装置内的光散射或反射的层之间的折射率差或由层内的光吸收导致。为了提高效率，一个或多个光提取基板可用于OLED装置中。用于形成光提取基板的常规方法针对基板的每一单独的层需要在高达500℃的温度下热处理持续15至30分钟或更多的持续时间。此工艺耗时、增加制造成本，并且高热处理温度不适合于某些基板材料。

本申请公开通过减少处理温度和时间的近红外线辐射(near infraredradiation；NIR)固化的改善的内部光提取层。

发明内容

在一些实施例中，一种用于形成用于改善的光提取的制品的工艺包括：提供基底基板；将前驱物安置于基底基板上，所述前驱物包括：具有在10nm至1μm的范围内的平均直径且包括无机氧化物和有机粘结剂的粒子；使前驱物暴露于具有在500nm至2000nm的范围内的峰值发射波长的第一辐射持续在1秒至300秒的范围内的时间，以形成多孔光提取层，所述多孔光提取层具有在10nm至1000nm的范围内的平均孔直径，其中多孔光提取层使制品的光输出提高了1.7倍或更多。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，暴露步骤持续在10秒至60秒的范围内的时间。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，无机氧化物包括二氧化钛(TiO₂)的第一无机材料和包括二氧化硅(SiO₂)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO₂)或以上项的组合中的至少一者的第二无机材料。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，无机氧化物包括二氧化钛(TiO₂)。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，有机粘结剂包括聚乙二醇、聚氧化乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸或以上项的组合中的至少一者。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，第一辐射具有在0.1W/cm²至1000W/cm²的范围内的功率。

在与其他方面或实施例中的任一者可组合的一个方面中，第一辐射以小于100％的功率输出操作。