[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201980046333.9 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112400229A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 菊地登茂平 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50;H01L23/28;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
导电支承部件,其包含具有第1焊垫部的第1引线和具有第2焊垫部的第2引线,所述第2焊垫部在与所述第1引线的厚度方向正交的第1方向上位于与所述第1焊垫部相邻的位置;
搭载于所述第1焊垫部的控制元件;
搭载于所述第1焊垫部且与所述控制元件导通的绝缘元件;
搭载于所述第2焊垫部且与所述绝缘元件导通的驱动元件;和
覆盖所述第1焊垫部、所述第2焊垫部、所述控制元件、所述绝缘元件和所述驱动元件的密封树脂,
沿所述厚度方向看时,所述第1焊垫部具有在所述第1方向上位于与所述第2焊垫部相邻的位置,并且在与所述厚度方向和所述第1方向这两者正交的第2方向上延伸的第1边缘,
所述第1边缘具有位于所述第2方向的一端的第1端和位于所述第2方向的另一端的第2端,
沿所述厚度方向看时,所述第2焊垫部具有在所述第1方向上位于与所述第1边缘相邻的位置并且在所述第2方向上延伸的第2边缘,
所述第2边缘具有位于所述第2方向的一端的第3端和位于所述第2方向的另一端的第4端,
在所述第2方向上,所述第3端和所述第4端的任意者位于所述第1端与所述第2端之间。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
沿所述厚度方向看时,所述第1焊垫部具有包含在所述第1方向上延伸的区间的第3边缘,
所述第3边缘与在所述第2方向上位于所述第3端与所述第4端之间的所述第1端或所述第2端的任意者相连,
沿所述厚度方向看时,所述第2焊垫部具有包含在所述第1方向上延伸的区间的第4边缘,
所述第4边缘与在所述第2方向上位于所述第1端与所述第2端之间的所述第3端或所述第4端的任意者相连。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于:
所述导电支承部件还包含第3引线和第4引线,
所述第3引线具有在所述第2方向上位于与所述第4边缘相邻的位置并且被所述密封树脂覆盖的第3焊垫部,
所述第4引线具有在所述第2方向上位于与所述第3边缘相邻的位置并且被所述密封树脂覆盖的第4焊垫部,
所述半导体器件包括:连接所述控制元件与所述第3焊垫部的第1导线;和连接所述驱动元件与所述第4焊垫部的第2导线。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于:
所述密封树脂具有在所述第1方向上位于彼此分离的位置的第1侧面和第2侧面,
所述第1侧面位于与所述第2焊垫部和所述第3焊垫部相邻的位置,
所述第2侧面位于与所述第1焊垫部和所述第4焊垫部相邻的位置,
在所述第1侧面形成有表面比所述第1侧面的其它区域粗糙的第1浇口痕,
在所述第2侧面形成有表面比所述第2侧面的其它区域粗糙的第2浇口痕。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于:
所述导电支承部件没有从所述第1侧面和所述第2侧面露出。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于:
所述第1浇口痕和所述第2浇口痕在所述第2方向上位于彼此分离的位置。
7.如权利要求5或6所述的半导体器件,其特征在于:
沿所述厚度方向看时,所述第1焊垫部具有在所述第2方向上位于与所述第3边缘分离的位置,并且与所述第1边缘相连且包含在所述第1方向上延伸的区间的第5边缘,
沿所述厚度方向看时,所述第2焊垫部具有在所述第2方向上位于与所述第4边缘分离的位置,并且与所述第2边缘相连且包含在所述第1方向上延伸的区间的第6边缘。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:
沿所述厚度方向看时,所述第1浇口痕包含在所述第2方向上位于所述第4边缘的延长线与所述第5边缘的延长线之间的区域,
沿所述厚度方向看时,所述第2浇口痕包含在所述第2方向上位于所述第3边缘的延长线与所述第6边缘的延长线之间的区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980046333.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。