[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件，其包括导电支承部件、控制元件、绝缘元件、驱动元件和密封树脂。上述导电支承部件包含第1引线和第2引线。上述第1引线具有第1焊垫部。上述第2引线具有第2焊垫部。上述第2焊垫部在与上述第1焊垫部的厚度方向正交的第1方向上位于与上述第1焊垫部相邻的位置。上述控制元件搭载于上述第1焊垫部。上述绝缘元件搭载于上述第1焊垫部且与上述控制元件导通。上述驱动元件搭载于上述第2焊垫部且与上述绝缘元件导通。上述密封树脂覆盖上述第1焊垫部、上述第2焊垫部、上述控制元件、上述绝缘元件和上述驱动元件。沿上述厚度方向看时，上述第1焊垫部具有在上述第1方向上位于与上述第2焊垫部相邻的位置且在与上述厚度方向和上述第1方向这两者正交的第2方向上延伸的第1边缘。上述第1边缘具有位于上述第2方向的一端的第1端和位于上述第2方向的另一端的第2端。沿上述厚度方向看时，上述第2焊垫部具有在上述第1方向上位于与上述第1边缘相邻的位置且在上述第2方向上延伸的第2边缘。上述第2边缘具有位于上述第2方向的一端的第3端和位于上述第2方向的另一端的第4端。在上述第2方向上，上述第3端和上述第4端的任意者位于上述第1端与上述第2端之间。

技术领域

本发明涉及半导体器件，其具有控制元件和驱动元件，以及与这些元件双方导通的绝缘元件。

背景技术

用于驱动IGBT或MOSFET等开关元件的半导体器件(栅极驱动器)是众所周知的。专利文献1中公开了半导体器件的一例，其包括：输出用于驱动开关元件的栅极电压的驱动元件；将成为栅极电压的基础的电信号向驱动元件传送的控制元件；和与驱动元件和控制元件这两者导通的绝缘元件。

该半导体器件的绝缘元件包括一对线圈(电感器)。从控制元件传送的电信号通过一方的线圈被转换为磁力。另一方的线圈基于该磁力转换为比从控制元件所传送的电信号高的电位差的电信号之后，将该电信号传送到驱动元件。供给到驱动元件的电源电压(大于600V以上)比供给到控制元件的电源电压(大于5V)高很多。因此，通过具有这样的绝缘元件，在控制元件与驱动元件之间能够实现电绝缘状态下的电信号的传送，能够保护控制元件免受比较高的电压影响。

近年来，在电动汽车等的用途中，该半导体器件的小型化的要求正在提高。该半导体器件通常是基于模塑成型而形成的树脂封装件。在实现该半导体器件的小型化的情况下，在包含控制元件的低电压区域与包含驱动元件的高电压区域之间所填埋的密封树脂的体积变得更小，因此担心该半导体器件的绝缘耐压的降低。另外，在该半导体器件的制造中，因为在形成密封树脂时的合成树脂的流动的原因，连接控制元件与引线等的导电部件的导线以及连接驱动元件与导电部件的导线，分别有可能靠近绝缘元件。由于这些导线靠近绝缘元件，有可能使该半导体器件的绝缘耐压降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-51547号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种半导体器件，其即使在实现装置的小型化的情况下，也能够抑制绝缘耐压的降低。

用于解决问题的技术手段