[发明专利]冷冻机有效
申请号: | 201980046946.2 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN112424921B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 李基旭;李南洙;朴灿名 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F25B49/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷冻机 | ||
根据本发明的实施例的冷冻机,其包括:压缩机,用于压缩制冷剂;以及变频器模块,用于控制压缩机,变频器模块包括:散热器,形成有使冷却剂穿过的冷却流路;冷却剂入口,以与冷却流路的入口连通的方式连接于散热器;冷却剂出口,以与冷却流路的出口连通的方式连接于散热器;至少一个IGBT,配置于散热器的顶面;以及至少一个二极管,以与IGBT隔开的方式配置于散热器的顶面,冷却流路包括:IGBT冷却流路,更靠近于冷却剂入口和冷却剂出口中的冷却剂入口;以及二极管冷却流路,更接近于冷却剂入口和冷却剂出口中的冷却剂出口,二极管冷却流路在冷却剂的流动方向上位于IGBT冷却流路之后。
技术领域
本发明涉及一种冷冻机(Refrigerator)。
背景技术
冷冻机是通过制冷剂获得低温而对液体进行冷却或冷冻的机器,冷冻机的主要部分由压缩机、冷凝器、膨胀阀以及蒸发器这个四个部分构成。根据输送制冷剂的方法,有着压缩式(往复、旋转、离心冷冻机)和吸收式。
构成冷冻机的压缩机还可以包括:马达;和能够改变马达的速度的变频器(inverter),变频器可以包括IGBT(绝缘门极双极性晶体管)或电容器等。
如上所述,包括马达和变频器的冷冻机还可以包括独立的冷却器(cooler),所述冷却器用于吸收变频器的热量。这种冷却器可以有:用于使空气流向变频器的散热风扇等的空冷式冷却器;以及用于将冷却水引导至变频器的冷却配管等的水冷式冷却器。
在冷冻机包括水冷式冷却器的情况下,用于使冷却水穿过的冷却配管配置在变频器的周围,从而能够吸收变频器的热量。
在包括水冷式冷却器的冷冻机中,冷却配管中的一部分可以配置在IGBT的上方,在该情况下,产生在冷却配管的表面上之后滴落的冷凝水可能会滴落到位于冷却配管的下方的IGBT,这些冷却配管可能会增加IGBT的漏电或发生火灾的危险性。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于,提供一种冷冻机,其通过使冷凝水滴落到IGBT(绝缘门极双极性晶体管)和二极管等的现象最小化,来能够使漏电或发生火灾的可能性最小化。
本发明的另一目的在于,提供一种冷冻机,其能够对IGBT和二极管的全部进行散热,并且能够优先对发热量较高的IGBT进行高可靠性的散热。
解决问题的技术方案
根据本发明的实施例的冷冻机,其包括:压缩机,其用于压缩制冷剂;以及变频器模块,其用于控制压缩机,变频器模块包括:散热器(heatsink),其形成有用于使冷却剂(coolant)穿过的冷却流路;冷却剂入口(inlet),其以与冷却流路的入口连通的方式连接于散热器;冷却剂出口(outlet),其以与冷却流路的出口连通的方式连接于散热器;至少一个IGBT,其配置在散热器的顶面;以及至少一个二极管(diode),其以与IGBT隔开的方式配置在散热器的顶面,冷却流路包括:IGBT冷却流路,其更靠近于冷却剂入口和冷却剂出口中的冷却剂入口;以及二极管冷却流路,其更接近于冷却剂入口和冷却剂出口中的冷却剂出口,二极管冷却流路在冷却剂的流动方向上位于IGBT冷却流路之后。
冷却流路还可以包括:用于使IGBT冷却流路和二极管冷却流路相连接的连接流路。
IGBT冷却流路的整体长度,可以大于二极管冷却流路的整体长度。
IGBT冷却流路和二极管冷却流路分别可以包括:平行的一对直线流路;和用于使一对直线流路相连接的返回流路。IGBT冷却流路的一对直线流路之间的距离,可以大于二极管冷却流路的一对直线流路之间的距离。
冷却剂入口和冷却剂出口的每一个的高度,可以低于至少一个IGBT和至少一个二极管的每一个的高度。
冷却剂入口和冷却剂出口可以连接于散热器的外周面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造