[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器(20)，具有：

-载体(21)，

-边缘发射激光二极管(22)，所述激光二极管布置在所述载体(21)上，并且所述激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区以及带有辐射射出区(24)的棱面(23)，

-光学元件(25)，所述光学元件覆盖所述棱面(23)，

-连接材料(26)，所述连接材料布置在所述光学元件(25)与所述棱面(23)之间，

-模制体(27)，所述激光二极管(22)和所述光学元件(25)至少在局部被所述模制体覆盖，其中

-所述光学元件(25)对于在运行中由所述激光二极管(22)发出的激光辐射是至少部分透明的，并且

-所述光学元件(25)被设计用于改变在运行中进入到所述光学元件(25)中的激光辐射的主传播方向。

2.根据前一权利要求所述的半导体激光器(20)，其中，所述激光二极管(22)在至少一个侧面处被所述模制体(27)完全覆盖。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述激光二极管(22)的主发射方向横向于或垂直于所述半导体激光器(20)的主发射方向。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述载体(21)在横向方向(x)上至少局部地被所述模制体(27)围绕，其中，所述横向方向(x)平行于所述载体(21)的主延伸平面延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述模制体(27)借助于铸造和/或注塑成型方法来成形。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，所述半导体激光器具有辐射射出面(43)，所述辐射射出面没有所述模制体(27)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(25)完全覆盖所述棱面(23)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，在所述光学元件(25)上在朝向所述辐射射出区(24)的一侧处施加有抗反射层。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(25)具有辐射射出侧(36)，在所述辐射射出侧处施加有另外的抗反射层。

10.根据前一权利要求所述的半导体激光器(20)，其中，将光催化作用层施加在所述光学元件(25)的所述辐射射出侧(36)处以支持在所述辐射射出侧(36)处的分解反应。

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(25)被设计用于将在运行中进入到所述光学元件(25)中的激光辐射成形。

12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(20)，所述半导体激光器具有两个另外的边缘发射激光二极管(28)，所述另外的边缘发射激光二极管布置在各自的载体(21)上。

13.根据前一权利要求所述的半导体激光器(20)，所述半导体激光器具有光束组合器(29)。

14.根据前述权利要求中任一项所述的(20)，其中，转换元件(30)布置在所述光学元件(25)的下游，所述转换元件被设计用于对在运行中由所述激光二极管(22)发射的辐射的波长进行转换。