[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

包含附加了下式(1)所示的基团的聚合物。(在式(1)中，R_x、S_y和S_z各自独立地为氢原子或一价有机基，R_y和R_z各自独立地为单键或二价有机基，环Ar_y和环Ar_z各自独立地为碳原子数4～20的环状烷基或碳原子数6～30的芳基，并且，可以彼此结合而在环Ar_y和环Ar_z之间形成新的环，n_y为0以上并且为能够在环Ar_y上取代的最大数以下的整数，n_z为0以上并且为能够在环Ar_z上取代的最大数以下的整数，※为与聚合物的结合位置。)

技术领域

本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物等。

背景技术

在多层抗蚀剂工艺中，对交替具备无机层和有机层的叠层体(例如，半导体基板、抗蚀剂下层膜、硬掩模和光致抗蚀剂膜的叠层体)，交替使用在该无机层和该有机层中蚀刻选择性不同的蚀刻气体进行蚀刻，由此将基板进行图案形成。在专利文献1中，记载了一种多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其至少包含酚醛清漆树脂，该酚醛清漆树脂具有被规定的基团取代了的重复单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-114921号公报

发明内容

发明所要解决的课题

为了适合地实施多层抗蚀剂工艺，对抗蚀剂下层膜要求不溶于光致抗蚀剂溶液(用于形成光致抗蚀剂膜的溶液)和蚀刻选择性高，对抗蚀剂下层膜形成用组合物要求聚合物相对于该组合物中的溶剂具有良好的溶解性等性能。

因此本发明的目的是提供一种该抗蚀剂下层膜形成用组合物，其可以形成不溶于光致抗蚀剂溶液并且蚀刻选择性高的抗蚀剂下层膜，并且，包含相对于抗蚀剂下层膜形成用组合物中的溶剂具有良好的溶解性的聚合物，本发明的目的还在于提供该抗蚀剂下层膜形成用组合物的制造方法。此外本发明的目的是提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而实现的、抗蚀剂下层膜及其制造方法、进行了图案形成的基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方法

解决上述课题的本发明的第1方案为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含附加了下式(1)所示的基团的聚合物。

(在式(1)中，R_x、S_y和S_z各自独立地为氢原子或一价有机基，R_y和R_z各自独立地为单键或二价有机基，环Ar_y和环Ar_z各自独立地为碳原子数4～20的环状烷基或碳原子数6～30的芳基，并且，可以彼此结合而在环Ar_y和环Ar_z之间形成新的环，n_y为0以上并且为能够在环Ar_y上取代的最大数以下的整数，n_z为0以上并且为能够在环Ar_z上取代的最大数以下的整数，※为与聚合物的结合位置。)

本发明的第2方案为第1方案所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述环Ar_y和上述环Ar_z中的至少一者包含碳原子数6～30的芳基。

本发明的第3方案为第1方案或第2方案所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述式(1)所示的基团为选自下式(1-1)～下式(1-15)中的至少一个。

(在式(1-1)～式(1-15)中，※为与聚合物的结合位置。)