[发明专利]用于测量加热器基座上的基板的放置的方法和设备在审
申请号: | 201980048663.1 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN112470264A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | C·G·波特;A·D·沃恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 加热器 基座 放置 方法 设备 | ||
1.一种确定传感器晶片相对于基座的位置的方法,包括以下步骤:
将所述传感器晶片放置于所述基座上,其中所述传感器晶片包括由所述基座支撑的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、及将所述第一表面连接至所述第二表面的边缘表面,其中多个传感器区域形成于所述边缘表面上,且其中所述基座包括主要表面及环绕所述传感器晶片的环状壁;
确定所述多个传感器区域的每一者与所述环状壁之间的间隙距离;以及
从所述间隙距离确定所述传感器晶片的中心点相对于所述环状壁的中心点的中心点偏移。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述多个传感器区域包括自参照的电容性传感器。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述自参照的电容性传感器包括第一探测器及第二探测器,其中供应至所述第一探测器的电流的输出相位与供应至所述第二探测器的电流的输出相位偏移180度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述传感器晶片进一步包括所述传感器区域的每一者下方的电场防护件。
5.如权利要求1所述的方法,其中凹部被形成到所述传感器晶片的所述第二表面中、接近所述传感器区域的每一者。
6.如权利要求1所述的方法,其中最大测量到的间隙距离小于1mm。
7.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
使用所述中心点偏移以在所述基座上放置后续晶片。
8.如权利要求7所述的方法,其中后续放置的晶片具有在所述环状壁的所述中心点的200μm内的中心点。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述多个传感器区域包括至少三个传感器区域。
10.一种放置控制器,包括:
传感器接口,其中所述传感器接口从传感器晶片接收传感器信息,所述传感器晶片包括沿着所述传感器晶片的边缘表面的多个面向外的传感器;及
中心点模块,其中所述中心点模块使用所述传感器信息以相对于加热基座的中心点确定所述传感器晶片的中心点,所述传感器晶片安置于所述加热基座上,且其中所述放置控制器经控制定位机器人以将所述传感器晶片放置于所述基座上。
11.如权利要求10所述的放置控制器,其中所述放置控制器产生位置偏移值,所述位置偏移值存储于数据库中。
12.如权利要求11所述的放置控制器,其中所述位置偏移值被用来在所述定位机器人将晶片放置于所述基座上时控制所述定位机器人。
13.如权利要求10所述的放置控制器,其中所述基座为加热器基座。
14.如权利要求10所述的放置控制器,其中所述传感器晶片的传感器为自参照的电容性传感器。
15.如权利要求10所述的放置控制器,其中所述多个面向外的传感器包括至少三个面向外的传感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980048663.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体室中温度的实时控制
- 下一篇:在存储系统的中介器服务之间进行切换
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造