[发明专利]用于测量加热器基座上的基板的放置的方法和设备在审
申请号: | 201980048663.1 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN112470264A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | C·G·波特;A·D·沃恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 加热器 基座 放置 方法 设备 | ||
此处公开的实施例包含一种确定传感器晶片相对于基座的位置的方法。在实施例中,该方法包括以下步骤:将传感器晶片放置于该基座上,其中该传感器晶片包括由该基座支撑的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及将该第一表面连接至该第二表面的边缘表面,其中在该边缘表面上形成多个传感器区域,且其中该基座包括主要表面及环绕该传感器晶片的环状壁。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:确定该多个传感器区域的每一者与该环状壁之间的间隙距离。在实施例中,该方法可进一步包括以下步骤:从间隙距离确定该传感器晶片的中心点相对于该环状壁的中心点的中心点偏移。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年8月20日提交的美国非临时申请号16/545,824的优先权,该非临时申请要求2018年9月4日提交的美国临时申请号62/726,887的权益,其全部内容通过引用并入于此。
背景
实施例涉及半导体制造领域,并且具体地涉及用于使晶片在加热基座上居中的方法和设备。
相关技术的描述
在例如半导体晶片的基板的处理中,可放置基板于加热基座上以用于各种制造操作。典型地,加热基座包括基板安置于其上的平坦表面及环绕基板的环状环(也称为袋部)。环状环通常比正在被处理的基板厚。
理想上,基板应该与环状环居中,以便提供跨基板的均匀处理。即,基板的中心点应该与环状环的中心点重合。目前,基板与环状环的对准是通过眼睛进行的,这不能提供确保均匀处理所需的准确度。为了确认基板放置是合适的,可进行晶片上均匀性测试。这样的测试需要执行数小时且由于测试晶片的花费而成本高。
发明内容
此处公开的实施例包含一种确定传感器晶片相对于基座的位置的方法。在实施例中,该方法包括以下步骤:放置传感器晶片至该基座上,其中该传感器晶片包括由该基座支撑的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及将该第一表面连接至该第二表面的边缘表面,其中在该边缘表面上形成多个传感器区域,且其中该基座包括主要表面及环绕该传感器晶片的环状壁。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:确定该多个传感器区域的每一者及该环状壁之间的间隙距离。在实施例中,该方法可进一步包括以下步骤:从间隙距离确定传感器晶片的中心点相对于该环状壁的中心点的中心点偏移。
此处公开的实施例包含一种放置控制器。在实施例中,放置控制器包括传感器接口,其中该传感器接口从传感器晶片接收传感器信息,该传感器晶片包括沿着该传感器晶片的边缘表面的多个面向外的传感器。在实施例中,放置控制器进一步包括中心点模块,其中该中心点模块使用该传感器信息以相对于加热基座的中心点确定该传感器晶片的中心点,该传感器晶片安置于该加热基座上,且其中该放置控制器控制定位机器人以将该传感器晶片放置于该基座上。
此处公开的实施例包括一种校准晶片定位机器人以用于将晶片放置到基座上的方法。在实施例中,该方法包括以下步骤:使用该晶片定位机器人将传感器晶片放置于该基座上的第一位置中,其中该传感器晶片包括由该基座支撑的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及将该第一表面连接至该第二表面的边缘表面,其中在该边缘表面上形成多个传感器区域,且其中该基座包括主要表面及环绕该传感器晶片的环状壁。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:确定该多个传感器区域的每一者及该环状壁之间的间隙距离。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:从间隙距离确定该传感器晶片的中心点相对于该环状壁的中心点的中心点偏移。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:通过以该中心点偏移修改该第一位置来产生第二位置。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:使用该晶片定位机器人从该基座移除该传感器晶片。在实施例中,该方法进一步包括以下步骤:使用该晶片定位机器人将晶片放置于该基座上的该第二位置中。
附图说明
图1A是根据实施例的加热基座上的传感器晶片的平面图。
图1B是根据实施例的图1A中的传感器晶片和加热基座的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造