[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

真空容器，前述真空容器可控制内部的压力；

气体供应单元，前述气体供应单元向前述真空容器内供应气体；

下部电极，前述下部电极设于前述真空容器内，并于上表面载置基板；以及

天线，前述天线与前述下部电极对向配置并用于形成感应耦合；其中，

形成前述感应耦合的前述天线的一端经由匹配电路连接至提供高频电力的高频电源，另一端作为开放端；

前述天线的长度未达RF频率的波长(λ)的1/2λ，在前述天线的高频电力供电侧，连接有并联于前述天线的阻抗调整电路；

可将前述阻抗调整电路所为的合成阻抗的电抗分量，相对于供应至前述天线的RF频率，进行自电容性负载至感应性负载的调整。

2.如权利要求1所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

前述阻抗调整单元为可变电容器，根据使用的应用，以最佳化前述可变电容器的容量，通过将前述阻抗调整电路的合成阻抗，相对于供应至前述天线的RF频率进行调整，以自由进行等离子体分布的调整与等离子体密度的调整。

3.如权利要求1或2所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

形成前述感应耦合的天线为螺旋形状的线圈天线，其圈数(匝数)具有至少2匝以上的圈数。

4.如权利要求1至3的任一项所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

前述天线的开放端侧的部分，由防止因为电位的上升而导致的气体放电(电弧放电)的绝缘体所被覆，或经由绝缘体而由附近的构造物所支撑。

5.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

真空容器，前述真空容器可控制内部的压力；

气体供应单元，前述气体供应单元向前述真空容器内供应气体；

下部电极，前述下部电极设于前述真空容器内，并于上表面载置基板；以及

天线，前述天线与前述下部电极对向配置并用于形成感应耦合；其中，

前述天线为集合体天线，前述集合体天线由一端经由匹配电路连接至供应高频电力的高频电源、另一端作为开放端的复数个天线元件集合而成，

前述天线的长度未达RF频率的波长(λ)的1/2λ，

自前述匹配电路至前述复数个天线之间，具有用于分配供应RF电力的RF电力分配路径，在前述RF电力分配路径与各个天线的RF供电侧之间，并联于前述天线的阻抗调整电路并联连接于至少1个以上的天线，前述天线或天线群与前述阻抗调整电路所为的合成阻抗的电抗分量，相对于供应至前述天线或前述天线群的RF频率，可进行由前述阻抗调整单元所为的自电容性负载至感应性负载的调整。

6.如权利要求5所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

前述阻抗调整单元为可变电容器，根据使用的应用，以最佳化前述可变电容器的容量，通过将前述阻抗调整电路的合成阻抗，相对于供应至前述天线的RF频率进行调整，以自由进行等离子体分布的调整与等离子体密度的调整。

7.如权利要求5或6所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

形成前述感应耦合的天线为螺旋形状的线圈天线，其圈数(匝数)具有至少2匝以上的圈数。

8.如权利要求5至7的任一项所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

前述天线的开放端侧的部分，由防止因为电位的上升而导致的气体放电(电弧放电)的绝缘体所被覆，或经由绝缘体而由附近的构造物所支撑。

9.如权利要求5至8的任一项所记载的等离子体处理装置，其特征在于，

自前述天线群的各个天线的RF供电部至开放端部为止的路径的中途，具备可计测在各个天线中流动的RF电流的电流计，根据在前述天线中流动的电流值，以自由调整前述阻抗调整电路的阻抗，且通过调整在前述天线中流动的电流值，可控制等离子体密度的面内分布。