[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明的等离子体处理装置具有：真空容器，可控制内部压力；气体供应单元；电极，设于真空容器内且于上表面载置基板；以及天线，与电极对向配置并用于形成感应耦合；形成感应耦合的天线的一端经由匹配电路连接至高频电源，天线的另一端作为开放端，天线的长度未达RF频率的波长(λ)的1/2λ，在天线的RF供电侧，连接有并联于天线的阻抗调整电路，可将阻抗调整电路所为的合成阻抗的电抗分量，相对于供应至天线的RF频率，进行自电容性负载至感应性负载的调整。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

本申请依据2018年7月26日于日本提出申请的日本专利特愿2018-140650号主张优先权，并将其内容援用至本说明书。

背景技术

近年，在液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)及有机EL显示器(OLED：Organic Light Emitting Display)等平板显示器(FPD：Flat Panel Display)的制造中，在对玻璃基板等基板实施规定的等离子体处理时，伴随基板尺寸的大型化，对可处理大面积基板的等离子体处理装置的需求提高。另外，对于基板，在进行等离子体蚀刻或等离子体制膜等处理的情况下，现有的电容耦合性等离子体处理装置所生成的等离子体密度低，且由于伴随之的蚀刻速度或制膜速度低下，从而有处理时间变长、生产性恶化及因装置台数增加所产生的制造产线的成本增加等问题。

针对这样的问题，虽使用可生成高密度等离子体的感应耦合性等离子体(Inductively Coupled Plasma：ICP)的等离子体处理装置为有效，但伴随进行处理的基板面积的大型化，在感应耦合型等离子体处理装置中还有如以下对于装置的要求课题。

(1)高密度等离子体生成机构，其可生成更高密度的等离子体。

(2)高密度等离子体生成机构，其可生成大面积且均一的等离子体。

(3)高密度等离子体生成机构，其可生成大面积且可自由调整等离子体的面内分布。

(4)高密度等离子体处理装置，即使高频电力(RF功率)转为高功率，仍可将用于生成ICP的线圈天线的RF电位抑制为低，并可抑制天线下方的电介质窗由来自等离子体的离子攻击而导致的刮擦，且可降低电介质窗由离子攻击而产生的异物(颗粒)的产生量。

(5)高密度等离子体处理装置，其对于各种等离子体处理的应用可稳定地放电，且对于各种等离子体处理条件，可简单地调整等离子体的强弱、密度分布。

对于此种针对等离子体处理装置的要求课题，现有的等离子体处理装置，难以克服所有的课题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4080793号公报

专利文献2：日本专利第5399151号公报

专利文献3：日本专利特开2013-105664号公报

发明内容

发明要解决的课题

对于前述针对等离子体处理装置的要求，在专利文献1中，使用集合体天线，前述集合体天线具备并联配置复数个线圈而成的平面上的线圈天线、与分别串联连接于前述线圈天线的1个以上的电容器。

然而，在此等离子体处理装置中，伴随基板尺寸的大型化，在施加更大容量的高频电力(RF功率)的情况下，无法充分降低线圈天线的供电部的电位，从而无法充分抑制前述(4)所记载的天线下方的电介质窗由来自等离子体的离子攻击而导致的刮擦、及异物产生。

另外，在要求(1)所记载的更高密度的等离子体时，在此天线构造中，对等离子体密度的高密度化具有极限。