[发明专利]阀装置、流体控制装置、流体控制方法、半导体制造装置以及半导体制造方法在审

专利信息
申请号: 201980049272.1 申请日: 2019-06-18
公开(公告)号: CN112469934A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 佐藤龙彦;中田知宏;篠原努;三浦尊 申请(专利权)人: 株式会社富士金
主分类号: F16K7/17 分类号: F16K7/17
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 流体 控制 方法 半导体 制造 以及
【说明书】:

本发明提供一种能够改善密封性能、小型化并且更加稳定地控制较大的流量的阀装置。所述阀装置具有:阀体(2);筒状构件(3),其设于收纳凹部(23)内且与第1流路(21)连通;阀座(48),其由筒状构件(3)支承;密封构件(49),其介于收纳凹部(23)的底面的第1流路(21)的开口周围与筒状构件(3)的下端部之间;环状板(11),其气密或液密地固定于在阀体(2)的收纳凹部(23)的内周面形成的环状的支承部(24)且气密或液密地固定于在筒状构件(3)的外周面形成的环状的支承部(37),具有与第2流路(22)连通的多个开口,且具有挠性;以及隔膜(41),其通过在相对于阀座(48)不接触的开位置以及相对于阀座(48)接触的闭位置之间移动而进行第1流路(21)和第2流路(22)之间的连通以及切断。

技术领域

本发明涉及一种阀装置、流体控制装置、流体控制方法、半导体制造装置以及半导体制造方法。

背景技术

例如,在半导体制造工序中,使用了相对于半导体制造装置的腔室控制各种处理气体的供给的阀装置。在原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposition法)等中,要求一种小型化并且以更大的流量稳定地供给使膜沉积于基板的处理工艺所使用的处理气体的阀装置。

引用文献1公开了一种小型化并且能够以更大的流量稳定地供给处理气体的隔膜阀。该隔膜阀的主体的凹处包括接近开口的大径部以及经由台阶部而与大径部的下方相连的小径部。在凹处嵌合有流路形成圆盘。流路形成圆盘包括嵌合于凹处大径部的大径圆筒部、承接于凹处台阶部的连结部、以及具有比凹处小径部的内径小的外径且下端被凹处的底面承接的小径圆筒部。在流路形成圆盘的连结部形成有将小径圆筒部外侧环状空间和大径圆筒部内侧环状空间连通的多个贯通孔。流体流入通路与流路形成圆盘的小径圆筒部下端相连通,流体流出通路与小径圆筒部外侧环状空间相连通。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-172026号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述了的隔膜阀中,需要对隔膜阀的主体的凹处台阶部与流路形成圆盘的大径圆筒部之间、以及隔膜阀的主体的凹处底面与流路形成圆盘的下端之间这两个部位进行密封。因此,存在有如下问题:由于部件间的尺寸误差等原因,在多个隔膜阀之间,流路形成圆盘的下端部与隔膜阀的主体的凹处的底面之间的密封性能产生偏差。

本发明的目的之一在于提供一种能够改善密封性能、小型化并且更加稳定地控制较大的流量的阀装置、使用该阀装置的流体控制装置、流体控制方法、半导体制造装置以及半导体制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的阀装置具有:阀体,其划定收纳凹部、在所述收纳凹部的底面开口的第1流路、以及与所述收纳凹部连接的第2流路;筒状构件,其设于所述收纳凹部内,划定与第1流路连通的流路;环状的阀座,其由所述筒状构件的上端部支承;环状的密封构件,其介于所述收纳凹部的底面的所述第1流路的开口周围与所述筒状构件的下端部之间;环状板,其外周缘部气密或液密地固定于在所述阀体的收纳凹部的内周面形成的环状的支承部,内周缘部气密或液密地固定于在所述筒状构件的外周面形成的环状的支承部,该环状板具有通过所述收纳凹部而与所述第2流路连通的多个开口,且具有挠性;以及隔膜,其覆盖所述筒状构件上的阀座以及所述环状板,通过在相对于所述阀座不接触的开位置以及相对于所述阀座接触的闭位置之间移动而进行所述第1流路和所述第2流路之间的连通以及切断。

所述筒状构件被所述环状板支承为悬臂梁状,由此能够将自所述隔膜通过所述阀座而承受的力作为将所述密封构件朝向所述收纳凹部的底面按压的力而进行传递。

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