[发明专利]MEMS器件在审
| 申请号： | 201980049523.6 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112470298A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 岸本谕卓;池内伸介;藤本克己;木村哲也;黑川文弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;B81B7/02;H01L41/09;H03H9/17 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS器件，具备：
压电层，其由压电体的单晶构成；
第一电极，其配置于所述压电层的第一方向的表面；以及
第一层，其配置为覆盖所述压电层的所述第一方向的表面，
所述第一电极被所述第一层覆盖且具有凹部，
所述压电层在与所述第一电极的至少一部分对应的位置处具有贯通孔，该贯通孔贯穿为将所述压电层的与所述第一方向相反的一侧即第二方向的表面与所述凹部连结。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中，
所述第一电极的蚀刻率比所述压电体低。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS器件，其中，
所述第一电极是外延生长层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS器件，其中，
所述MEMS器件具备第二电极，该第二电极在所述贯通孔的内部与所述凹部连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的MEMS器件，其中，
所述第一电极是包括Ni膜和配置在所述Ni膜的所述压电层侧的Ti膜的层叠构造，所述凹部的表面在层叠方向上位于比所述Ni膜与所述Ti膜的边界面靠下方的位置。
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