[发明专利]MEMS器件

说明书

MEMS器件(101)具备由压电体的单晶构成的压电层(10)、配置于压电层(10)的第一方向(91)的表面的第一电极(14)、以及配置为覆盖压电层(10)的第一方向(91)的表面的作为第一层的中间层(3)。压电层(10)的至少一部分包含在膜片部(6)中。第一电极(14)被第一层(3)覆盖且具有凹部。压电层(10)在与第一电极(14)的至少一部分对应的位置处具有贯通孔(18)，该贯通孔(1g)贯穿压电层(10)，使得将压电层(10)的与第一方向(91)相反的一侧即第二方向(92)的表面与所述凹部连结。

技术领域

本发明涉及MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)器件。

背景技术

在日本特开2008-244725号公报(专利文献1)中记载了一种称为压电薄膜器件的器件。在取出下表面电极而与上表面电极电连接的部分，形成有称为导通孔的纵孔。该纵孔形成至压电体薄膜与下表面电极的界面。在专利文献1中，为了形成导通孔，利用加热后的缓冲氢氟酸进行压电体薄膜的蚀刻。在压电体薄膜与下表面电极的界面停止该蚀刻。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-244725号公报

发明内容

发明要解决的课题

即便要通过蚀刻形成纵孔而实现与下表面电极的电连接，也有在下表面电极的表面存在金属氧化膜的情况，由于该膜的存在，接触电阻有时变大。

对此，本发明的目的在于，在MEMS器件中降低接触电阻。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，基于本发明的MEMS器件具备：压电层，其由压电体的单晶构成；第一电极，其配置于上述压电层的第一方向的表面；以及第一层，其配置为覆盖上述压电层的上述第一方向的表面，上述第一电极被上述第一层覆盖且具有凹部，上述压电层在与上述第一电极的至少一部分对应的位置处具有贯通孔，该贯通孔贯穿为将上述压电层的与上述第一方向相反的一侧即第二方向与上述凹部连结。

发明效果

根据本发明，能够降低进行从第一电极的电取出时的接触电阻。

附图说明

图1是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的剖视图。

图2是图1中的贯通孔的附近的放大图。

图3是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第一说明图。

图4是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第二说明图。

图5是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第三说明图。

图6是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第四说明图。

图7是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第五说明图。

图8是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第六说明图。

图9是基于本发明的实施方式1中的MEMS器件的制造方法的第七说明图。

图10是基于本发明的实施方式2中的MEMS器件的剖视图。

图11是基于本发明的实施方式3中的MEMS器件的剖视图。

图12是图11中的贯通孔的附近的放大图。

图13是第一电极为两种金属膜的层叠构造的情况下的贯通孔的附近的放大图。

具体实施方式