[发明专利]使用导电柱技术的三维高质量无源结构

权利要求书

1.一种器件，包括：

基板，所述基板包括第一RDL(第一重分布层)；

所述基板上的3D集成无源器件(三维集成无源器件)；

所述基板上的多个柱，所述多个柱中的每一个柱比所述3D集成无源器件高；

模塑件，所述模塑件在所述基板上并围绕所述3D集成无源器件和所述多个柱；以及

多个外部互连，所述多个外部互连通过所述多个柱来耦合到所述第一RDL。

2.如权利要求1所述的器件，进一步包括具有钝化层的第二RDL，所述第二RDL在所述模塑件与所述外部互连之间并将所述多个柱耦合到所述外部互连。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述3D集成无源器件包括变压器、电感-电容(LC)谐振器、或分布式滤波器。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述多个柱包括三维(3D)螺线管电感器。

5.如权利要求1所述的器件，其中所述基板包括低损耗基板。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述基板包括玻璃。

7.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：

形成包括第一RDL(第一重分布层)的基板；

在所述基板上形成三维(3D)集成无源器件；

在所述基板上形成多个柱，所述多个柱中的每一个柱比所述3D集成无源器件高；

在所述基板上沉积模塑件，所述模塑件围绕所述3D集成无源器件和所述多个柱；以及

形成多个外部互连，所述多个外部互连通过所述多个柱来耦合到所述第一RDL。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括形成具有钝化层的第二RDL，所述第二RDL在所述模塑件与所述外部互连之间并将所述多个柱耦合到所述外部互连。

9.如权利要求7所述的方法，其中形成所述3D集成无源器件包括形成变压器、电感-电容(LC)谐振器、或分布式滤波器。

10.如权利要求7所述的方法，其中形成所述多个柱包括形成三维(3D)螺线管电感器。

11.一种射频(RF)前端模块，包括：

器件，所述器件具有：包括第一RDL(第一重分布层)的基板；所述基板上的3D集成无源器件(三维集成无源器件)；所述基板上的多个柱，所述多个柱中的每一个柱比所述3D集成无源器件高；在所述基板上并围绕所述3D集成无源器件和所述多个柱的模塑件；以及通过所述多个柱耦合到所述第一RDL的多个外部互连；以及

耦合到所述器件的天线。

12.如权利要求11所述的射频前端模块，进一步包括具有钝化层的第二RDL，所述第二RDL在所述模塑件与所述外部互连之间并将所述多个柱耦合到所述外部互连。

13.如权利要求11所述的射频前端模块，其中所述3D集成无源器件包括变压器、电感-电容(LC)谐振器、或分布式滤波器。

14.如权利要求11所述的射频前端模块，其中所述多个柱包括三维(3D)螺线管电感器。

15.如权利要求11所述的射频前端模块，其中所述基板包括低损耗基板。

16.如权利要求11所述的射频前端模块，其中所述基板包括玻璃。