[发明专利]使用导电柱技术的三维高质量无源结构

说明书

使用导电柱技术、而非穿孔技术的无源结构包括具有第一重分布层(RDL)的基板以及该基板上的三维(3D)集成无源器件。无源结构包括基板上的多个柱，其中每个柱比3D集成无源器件高。无源结构进一步包括在基板上围绕3D集成无源器件和柱的模塑件。此外，无源结构包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。

背景

优先权要求

本专利申请要求于2018年8月1日提交的题为“THREE-DIMENSIONAL HIGH QUALITYPASSIVE STRUCTURE WITH CONDUCTIVE PILLAR TECHNOLOGY(使用导电柱技术的三维高质量无源结构)”的申请No.16/051,876的优先权，该申请转让给本申请受让人并且由此通过引用明确纳入于此。

技术领域

本公开的诸方面涉及半导体器件，尤其涉及使用导电柱技术的三维高质量无源结构。

背景技术

由于成本和功耗的考虑，移动射频(RF)芯片(例如，移动RF收发机)已经迁移到深亚微米工艺节点。通过添加用于支持通信增强(诸如第五代(5G)技术)的电路功能，移动RF收发机的设计复杂度被进一步复杂化。移动RF收发机的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考量，包括失配、噪声、以及其他性能考量。设计这些移动RF收发机包括使用无源器件以例如用于抑制谐振、和/或用于执行滤波、旁路和耦合。

成功地制造现代半导体芯片产品涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体而言，用于现代半导体芯片的无源组件是工艺流程中日益成为挑战的部分。这在维持小特征尺寸方面尤其如此。维持小特征尺寸的相同挑战也适用于玻璃基无源(POG)技术。

概述

一种器件可以包括具有第一重分布层(RDL)的基板以及基板上的三维(3D)集成无源器件。该器件还可以包括基板上的多个柱。每个柱都比3D集成无源器件高。该器件进一步包括基板上的模塑件。模塑件围绕3D集成无源器件和柱。此外，该器件包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。

一种制造电子器件的方法可以包括形成具有第一重分布层(RDL)的基板并在基板上形成三维(3D)集成无源器件。该方法还可包括在基板上形成多个柱。每个柱都比3D集成无源器件高。该方法进一步包括在基板上沉积模塑件，以使模塑件围绕3D集成无源器件和柱。此外，该方法包括形成多个外部互连，多个外部互连通过柱来耦合到第一RDL。

射频(RF)前端模块包括器件，该器件具有包括第一重分布层(RDL)的基板、基板上的三维(3D)集成无源器件、以及基板上的多个柱。每个柱都比3D集成无源器件高。该器件还具有基板上的模塑件，其中模塑件围绕3D集成无源器件和柱。该器件进一步包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。RF前端还具有耦合到该器件的天线。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图简述

为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。

图1是射频(RF)通信系统的示图。

图2解说了无源器件模块(例如，电感-电容(LC)滤波器)。

图3是根据本公开的一方面的包括无源器件模块的双工器设计的布局的俯视图。

图4是根据本公开的一方面的双工器设计的布局的俯视图。