[发明专利]压电器件在审

专利信息
申请号: 201980049717.6 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN112514088A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 岸本谕卓;池内伸介 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/113;H01L41/187
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朴云龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压电 器件
【权利要求书】:

1.一种压电器件,具备:

基部;以及

薄膜部,被所述基部间接地支承,位于比所述基部靠上侧,包含多个层,

所述薄膜部与所述基部不重叠,且包含:单晶压电体层;上部电极层,配置在该单晶压电体层的上侧;以及下部电极层,配置为隔着所述单晶压电体层与所述上部电极层的至少一部分对置,

在所述薄膜部设置有在上下方向上贯通的贯通槽,

所述贯通槽在构成所述薄膜部的所述多个层中的最厚的层中形成有第1台阶部,

所述贯通槽的宽度以所述第1台阶部为界,下侧变得比上侧窄。

2.根据权利要求1所述的压电器件,其中,

所述贯通槽在比所述第1台阶部靠上方处且在构成所述薄膜部的所述多个层中的任一层中进一步形成有第2台阶部,

所述贯通槽的所述宽度以所述第2台阶部为界,下侧变得比上侧窄。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的压电器件,其中,

所述贯通槽的所述宽度随着从所述贯通槽的上端朝向下端而变窄。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的压电器件,其中,

所述单晶压电体层包含钽酸锂或铌酸锂。

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