[发明专利]减少粒子产生的气体扩散器支撑结构

说明书

本公开内容的实施方式一般提供用于真空腔室的气体扩散器支撑结构的设备和方法。气体扩散器支撑结构包括背板，具有穿过所述背板而形成的中心通孔；整合十字形结构，形成于中心通孔中；及气体偏转器，由单一固定件耦接至十字形结构。

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及一种用于等离子体腔室的具有支撑结构的气体或等离子体扩散器。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)是沉积方法，其中处理气体通过背板(backing plate)和通过扩散器被引入至处理腔室中，接着被引入至气体分布喷头(gas distribution showerhead)。喷头经电性偏压(electrically biased)以激发(ignite)处理气体为等离子体。位于喷淋头对面的基座(pedestal)被电接地(electrically grounded)且充当阳极和基板支撑件。处理气体的等离子体在基板上形成一或多个膜。

通过使清洁气体自由基(radical)的等离子体沿着与处理气体相同的流动路径流动并通过此流动路径，执行内部腔室零件(component)的周期腔室清洁。举例而言，清洁气体被激发为处理腔室外部的等离子体且流动通过背板、扩散器和通过喷头。清洁气体自由基的等离子体典型地约400摄氏度或更高，导致部分的流动路径膨胀。在清洁之后，部分的气体路径逐渐冷却。此热循环在生产周期(production period)的期间被重复多次。

然而，热循环导致部分的气体路径以不同速率膨胀或收缩。相邻部件之间的胀差(differential expansion)导致多个部件彼此摩擦，产生粒子。这些粒子接着被载运至流动路径中且污染腔室。残留在流动路径中的粒子可能被载运至处理气体流中，在沉积工艺期间污染基板。基板的粒子污染减少产率。

因此，需要一种用于在处理腔室中支撑气体扩散器的设备和方法。

发明内容

本公开内容的实施方式一般提供用于真空腔室的气体扩散器支撑结构(gasdiffuser support structure)的设备和方法。一实施方式中，气体扩散器支撑结构包括背板，具有穿过所述背板而形成的中心通孔(central bore)；整合十字形结构(integratedcross structure)，形成于中心通孔中；及气体偏转器(gas deflector)，由单一固定件耦接至十字形结构。

另一实施方式中，公开了一种用于真空腔室的气体扩散器支撑结构。此气体扩散器支撑结构包括背板，具有通过所述背板而形成的中心通孔；及整合十字形结构，形成于中心通孔中，其中十字形结构包括分隔多个开口的多个轮辐(spoke)。

另一实施方式中，公开了一种用于真空腔室的气体扩散器支撑结构。此气体扩散器支撑结构包括背板，具有穿过所述背板而形成的中心通孔；整合十字形结构，形成于中心通孔中，其中十字形结构包括分隔多个开口的多个轮辐；及气体偏转器，由单一固定件耦接至十字形结构。

附图说明

以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及对本公开内容的更特定描述，可通过参照实施方式来获得，其中一些实施方式绘示于所附图式中。然而，应注意所附图式仅绘示本公开内容的典型实施方式，因而不应视为对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他等同有效的实施方式。

图1是腔室的一实施方式的示意性侧面截面图。

图2A是具有根据本公开内容的一实施方式的气体扩散器支撑组件的腔室的局部示意截面图。

图2B是沿着图2A的线段2B-2B的一部分的气体扩散器支撑组件的局部截面图。

为了助于理解，尽可能地使用了相同的附图标号以标示图式中共通的相同元件。考虑到，一实施方式中的元件与特征在没有进一步描述下可有利地并入其他实施方式中。