[发明专利]半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体晶片的对准标记方法，其包括：

限定与所述半导体晶片相关联的裸片位置，并且限定所述裸片位置之间的对准标记位置；

在与所述半导体晶片相关联的第一级处理处，在所述对准标记位置内形成第一对准标记；所述第一对准标记包括主要沿第一方向延伸的第一片区，且包括主要沿基本上正交于所述第一方向的第二方向延伸的第二片区；

在与所述半导体晶片相关联的第二级处理处，在所述对准标记位置内形成第二对准标记；所述第二级处理在所述第一级处理之后；所述第二对准标记包括主要沿所述第一方向延伸的第三片区，且包括主要沿所述第二方向延伸的第四片区；以及

在所述对准标记位置内形成纹理，所述纹理具有除沿所述第一或第二方向延伸的线以外的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理在所述第一对准标记的所述形成期间形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理在所述第一对准标记的所述形成期间形成，并且完全覆盖将被所述第二对准标记重叠的区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理在所述第二对准标记的所述形成期间形成，并且完全覆盖所述第一对准标记。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理在所述第一级与第二级之间的中间处理级形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述纹理完全覆盖所述第一对准标记，并且完全覆盖将被所述第二对准标记重叠的区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理包括所述对准标记位置内的线和间隙的图案；所述线沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一和第二方向交叉。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第三方向以约45°的角度与所述第一和第二方向交叉。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理跨由所述第一和第二对准标记中的至少一个组成的间隙延伸。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一对准标记包括具有间隙的图案，并且其中所述纹理跨此类间隙延伸。

11.一种半导体晶片的对准标记方法，其包括：

限定与所述半导体晶片相关联的裸片位置，并且限定所述裸片位置之间的对准标记位置；

在与所述半导体晶片相关联的第一级处理处，在所述对准标记位置内形成第一对准标记；所述第一对准标记具有第一线和第一间隙的第一图案，其中所述第一线主要沿第一方向延伸；所述第一线和第一间隙的第一图案配置在主要沿第一方向延伸的第一片区内和主要沿基本上正交于所述第一方向的第二方向延伸的第二片区内；在与所述半导体晶片相关联的第二级处理处，在所述对准标记位置内形成第二对准标记；所述第二级处理在所述第一级处理之后；所述第二对准标记具有第二线和第二间隙的第二图案，其中所述第二线主要沿所述第一方向延伸；所述第二对准标记包括主要沿所述第一方向延伸的第三片区，且包括主要沿所述第二方向延伸的第四片区；以及

在所述对准标记位置内形成具有第三线和第三间隙的第三图案的纹理；所述第三线沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一和第二方向交叉。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述纹理叠合在所述第一对准标记上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述纹理主要叠合在所述第一对准标记上，并且通常不在所述第一对准标记之间的区域内。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述纹理叠合在所述第一对准标记上，并且跨所述第一对准标记之间的区域延伸。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述纹理在所述第一对准标记的所述形成期间形成。