[发明专利]固体摄像装置和电子设备

说明书

本发明提供了一种在用于可见光的像素和用于近红外光的像素形成在同一基板的情况下既能够抑制由用于近红外光的像素导致的混色又能够确保用于可见光的像素的饱和电荷量的固体摄像装置。该固体摄像装置包括：基板、形成在基板上的第一至第三光电转换部、选择性地布置在第一和第二光电转换部的光入射表面侧的红外吸收滤波器、布置在第一至第三光电转换部的光入射表面侧的第一至第三滤色器、布置在第一和第二光电转换部之间的第一元件隔离部和布置在第二和第三光电转换部之间的第二元件隔离部，且第一元件隔离单元的沿着第一和第二光电转换部排列的方向的横截面积大于第二元件隔离单元的沿着第二和第三光电转换部排列的方向的横截面积。

技术领域

根据本发明的技术(本技术)涉及固体摄像装置和电子设备。

背景技术

通常，能够同时获取彩色图像和近红外图像的固体摄像装置已为大众所知(参见专利文献1)。在专利文献1中，在同一基板(芯片)上形成有用于可见光的光电转换单元(像素)和用于近红外光的光电转换单元(像素)。通过埋入在凹槽部中的元件隔离单元将相邻的像素电气隔离并且抑制相邻像素之间的混色。通常，用于可见光的像素的特征需要满足灵敏度、像素容量(饱和电荷量)和混色抑制。同时，用于近红外光的像素的特征需要满足量子效率和混色抑制。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开第2017-139286号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

由于与可见光相比，近红外光具有更低的构成基板的硅(Si)的吸收系数，因此即使在距硅光接收表面较深的地方也能被光电转换。因此，在通过在凹槽部中埋入氧化膜来形成元件隔离单元的情况下，由于对近红外光的遮光性能较低，所以近红外光容易经由元件隔离单元从用于近红外光的像素泄漏到相邻像素，并且容易发生混色。

同时，在通过在凹槽部中埋入氧化膜和金属膜来形成元件隔离单元的情况下，由于对近红外光的遮光能力也很高，因此能够抑制由用于近红外光的像素而导致的混色。然而，由于元件隔离单元是通过将氧化膜和金属膜都埋入到凹槽部而形成的，因此元件隔离单元的宽度更宽。因此，存在用于可见光的像素中的光电二极管的体积减小和饱和电荷量减小的问题。

因此，本发明的目的是：在用于可见光的光电转换单元(像素)和用于近红外光的光电转换单元(像素)形成在同一基板(芯片)上的情况下，提供既能够抑制由用于近红外光的像素导致的混色又能够确保用于可见光的像素的饱和电荷量的固体摄像装置和电子设备。

技术问题的解决方案

根据本技术的实施例的固体摄像装置包括：基板、形成在所述基板上的第一光电转换单元、形成在所述基板上并且与所述第一光电转换单元相邻的第二光电转换单元、形成在所述基板上并且与所述第二光电转换单元相邻的第三光电转换单元、选择性地布置在所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的光入射表面侧的红外吸收滤波器、布置在所述第一光电转换单元的所述光入射表面侧的第一滤色器、布置在所述第二光电转换单元的所述光入射表面侧的第二滤色器、布置在所述第三光电转换单元的所述光入射表面侧的第三滤色器、布置在所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元之间的第一元件隔离单元和布置在所述第二光电转换单元和所述第三光电转换单元之间的第二元件隔离单元，其中，所述第一元件隔离单元的沿着所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元排列的方向的横截面积大于所述第二元件隔离单元的沿着所述第二光电转换单元和所述第三光电转换单元排列的方向的横截面积。