[发明专利]用于加工金属陶瓷基板的方法、用于执行方法的设施和借助方法制造的金属陶瓷基板有效
申请号: | 201980052307.7 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112584961B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 托马斯·科尔;丹尼尔·屈夫纳 | 申请(专利权)人: | 罗杰斯德国有限公司 |
主分类号: | B23K26/03 | 分类号: | B23K26/03;B23K26/0622;B23K26/08;B23K26/359;B23K26/364;B23K26/38;B23K26/402;B23K101/36;B23K103/16;B23K103/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;支娜 |
地址: | 德国埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 加工 金属陶瓷 方法 执行 设施 借助 制造 | ||
1.一种用于加工金属陶瓷基板(1)的方法,所述金属陶瓷基板具有金属层和陶瓷层,所述金属层和所述陶瓷层借助于直接铜键合或活性钎焊方法键合到一起,所述方法包括:通过借助激光照射所述金属陶瓷基板(1)来加工所述金属陶瓷基板(1),用于形成理论断裂部位(5);
其中所述方法包括在所述照射之前的第一测量步骤中和在所述照射之后的第二测量步骤,其中在所述第二测量步骤中至少局部地测量所述金属陶瓷基板(1)的表面形貌,其中所述表面形貌是所述金属陶瓷基板沿着其主延伸平面的轮廓伸展,其中所述方法包括:
- 所述理论断裂部位的刻痕深度测量和
- 所述理论断裂部位的同心度确定,以确定在两个相邻的金属-陶瓷基板部段(20)之间的所述理论断裂部位的方位,
其特征在于,
在照射时使用超短脉冲激光源。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中借助于无损的光学测量方法来执行所述第一测量步骤和/或所述第二测量步骤。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中沿着输送路径(F)输送所述金属陶瓷基板(1),用于运输至所述第一测量步骤、所述照射和/或所述第二测量步骤,其中所述金属陶瓷基板(1)在沿着所述输送路径(F)输送期间定位在旋转的载体(55)上。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中所述金属陶瓷基板(1)在沿着所述输送路径(F)输送期间定位在圆台上。
5.根据权利要求1或2所述的方法,
其中在照射所述金属陶瓷基板(1)期间,对一个或多个另外的金属陶瓷基板(1)执行所述第一测量步骤和/或所述第二测量步骤。
6.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述第一测量步骤包括:
- 图像处理识别和/或
- 焦点方位测量和/或
- 基板厚度确定。
7.根据权利要求1或2所述的方法,
其中产生渐尖的理论断裂部位(5)。
8.根据权利要求7所述的方法,
其中产生v形的或楔形的理论断裂部位(5)。
9.一种用于执行根据上述权利要求中任一项所述的方法的设施,所述设施包括:
- 炉,在所述炉中加热由金属和陶瓷构成的预复合件从而实现键合,
- 用于沿着输送路径(F)输送所述金属陶瓷基板(1)的运输机构;
- 用于借助于激光照射所述金属陶瓷基板的光源,以及
- 用于执行所述第一测量步骤的第一传感器(41)和/或用于执行所述第二测量步骤的第二传感器(42),其中所述第一传感器(41)沿着所述输送路径(F)观察设置在所述光源上游和/或所述第二传感器(42)沿着所述输送路径观察设置在所述光源下游,
其特征在于,
所述设施设计用于,在照射时使用超短脉冲激光源,其中直接在照射之前执行所述第一测量步骤。
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