[发明专利]用于加工金属陶瓷基板的方法、用于执行方法的设施和借助方法制造的金属陶瓷基板

说明书

本发明涉及一种用于加工金属陶瓷基板(1)的方法，所述方法包括：通过借助激光照射金属陶瓷基板(1)来加工金属陶瓷基板(1)，尤其用于形成理论断裂部位(5)；其中在照射之前的第一测量步骤中和/或在照射之后的第二测量步骤中至少局部地测量金属陶瓷基板(1)的表面形貌。

技术领域

本发明涉及一种用于加工金属陶瓷基板的方法、一种用于执行所述方法的设施以及一种借助所述方法制造的金属陶瓷基板。

背景技术

金属陶瓷基板例如作为电路板或印制电路板从现有技术中充分已知。典型地，在金属陶瓷基板的构件侧上设置用于电器件和印制导线的连接面，其中电器件或电子器件以及印制导线可互连成电回路。金属陶瓷基板的主要组成部分是通常由陶瓷制成的绝缘层、以及一个或多个键合到绝缘层上的金属层。由于绝缘层的比较高的绝缘强度，由陶瓷制成的绝缘层已经被证实为是特别有利的。通过金属层的结构化，在此能够实现用于电器件的印制导线和/或连接面。

尤其从现有技术中已知的是，借助于DCB(“直接铜键合(Direct copper bond)”)方法，将铜键合到陶瓷层上，以便形成铜陶瓷基板。

典型地，在此提供陶瓷层和金属层作为预复合件，所述预复合件在穿过炉、尤其穿过连续式炉的情况下，经受键合工艺、例如DCB方法。也可行的是，通过活性钎焊方法(ABM＝active metal brazing)，通过经由活性焊料将金属层键合到陶瓷层上的方式，制造金属陶瓷基板。制成的金属陶瓷基板通常作为大板制成并且随后通过如下方式划分成各个金属陶瓷基板部段：即各个金属陶瓷基板部段通过折断或切割彼此分开或分离。

对此证实为有利的是，把理论断裂部位引入到金属陶瓷基板中，尤其引入到两个单独的金属陶瓷基板部段之间。然后，沿着所述理论断裂部位，将两个相关的金属陶瓷基板部段彼此折断。从出版物WO 2017 108 950和DE 10 2013 104 055 A1中已知借助于尤其利用超短脉冲激光源的激光照亮形成这种理论断裂部位，借助所述超短脉冲激光源能够实现与使用CO₂激光器相比更薄的用作为理论断裂部位的结构。

发明内容

基于所述现有技术，本发明的目的在于，进一步改进用于加工金属陶瓷基板的方法，尤其在折断时的工艺可靠性方面以及在借助于激光产生用作为理论断裂部位的结构时的生产工艺方面。

所述目的通过一种用于加工金属陶瓷基板的方法、一种用于执行所述方法的设施以及一种金属陶瓷基板来实现。本发明的其他优点和特征在说明书和附图中得出。

根据本发明提出一种用于加工金属陶瓷基板的方法，所述方法包括：通过借助激光照射金属陶瓷基板来加工金属陶瓷基板，尤其用于形成理论断裂部位；

其中在照射之前的第一测量步骤中和/或在照射之后的第二测量步骤中至少局部地测量金属陶瓷基板的表面形貌。

与现有技术相反，以有利的方式在照射之前借助于第一测量步骤和/或在照射之后借助于第二测量步骤在金属陶瓷基板的表面形貌方面检查金属陶瓷基板。在时间上在照射之前确定时，由此以有利的方式可行的是，尽可能精确地确定陶瓷层的方位。然后，能够以有利的方式将陶瓷层的所述方位或位置用于，有针对性地设定聚焦，以照射到期望的平面上。通过在照射之后的检查，能够提早辨别错误并且挑出有错误的金属陶瓷基板。

已经证实的是，借助执行第一测量步骤和/或第二测量步骤，能够在通过照射产生的结构的散射方面，尤其在折断或分割金属陶瓷基板之前的时刻产生较小的公差。减小的散射尤其涉及参数，如两个还要分离的金属-陶瓷部段之间的结构的结构深度或刻痕深度以及方位。例如(在60μm的结构深度时)能够实现小于20μm的公差。此外，例如根据结构的所测量的深度已经可识别，折断是否是成功的以及是否可能能够在此舍弃终归破坏金属陶瓷基板的折断。因此，减小失效或报废的数量，也就是说提高在生产金属-陶瓷部段时的效率。