[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980052803.2 | 申请日: | 2019-02-07 |
公开(公告)号: | CN112543999A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李新兴;金大贤;金明姬;韦德和·巴塞尔;柳济源;林白铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底,包括显示区域和非显示区域;以及
多个像素,设置在所述衬底的所述显示区域中,所述多个像素中的每个包括多个子像素,
其中,所述子像素中的每个包括:像素电路层,包括至少一个晶体管;以及显示元件层,包括通过其发射光的单位发射区域和设置在所述单位发射区域周围的外围区域,
其中,所述显示元件层包括:
第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述单位发射区域中,所述第二电极与所述第一电极间隔开;
至少一个发光元件,设置在所述单位发射区域中,并且包括连接至所述第一电极的第一端和连接至所述第二电极的第二端;
第一连接线,设置在所述外围区域中,并且在一方向上延伸;以及
桥接图案,设置在所述外围区域中,并且在与所述一方向相交的方向上从所述第一连接线分支,以及
所述桥接图案与所述第一电极和所述第二电极中的每个电断开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一连接线包括:
第1-1连接线,所述第1-1连接线与所述第一电极设置在相同的层上;以及
第1-2连接线,设置在所述第1-1连接线上,以及
所述桥接图案与所述第1-2连接线是一体的。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在平面图中,所述桥接图案具有从所述第1-2连接线朝向所述单位发射区域突出的形状。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示元件层包括:
第一封盖层,设置在所述第一电极上,并且与所述第一电极重叠;以及
其中,所述第一封盖层与所述第1-2连接线设置在相同的层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述桥接图案与所述第一封盖层间隔开预定距离。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中
所述显示元件层还包括第二连接线,所述第二连接线在所述外围区域中平行于所述第一连接线的延伸方向延伸,并且与所述第二电极电连接,以及
所述第二连接线包括:
第2-1连接线,所述第2-1连接线与所述第1-1连接线设置在相同的层上;以及
第2-2连接线,所述第2-2连接线设置在所述第2-1连接线上。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述桥接图案、所述第一封盖层和所述第二封盖层、所述第1-2连接线以及所述第2-2连接线设置在相同的层上,并且包括相同的材料。
8.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述像素电路层包括:
驱动电压线,设置在所述衬底上,并且传输驱动电压;以及
钝化层,设置在所述晶体管和所述驱动电压线上,并且包括暴露所述晶体管的一部分的第一接触孔和暴露所述驱动电压线的一部分的第二接触孔,
其中,所述第一接触孔设置在所述单位发射区域中,使得所述第一接触孔对应于所述第一电极的一部分。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一电极通过所述第一接触孔电连接至所述晶体管,并且所述第二电极通过所述第二接触孔电连接至所述驱动电压线。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一电极包括彼此间隔开预定距离的第1-1电极和第1-2电极,且所述第二电极设置在所述第1-1电极和所述第1-2电极之间,以及
所述第1-1电极和所述第1-2电极中的每个电连接至设置在所述像素电路层中的相同的晶体管。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述显示元件层还包括辅助图案,所述辅助图案设置在所述单位发射区域中并且将所述第1-1电极的一端与所述第1-2电极的一端连接,以及
所述辅助图案与所述第1-1电极和所述第1-2电极是一体的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980052803.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的