[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980052803.2 | 申请日: | 2019-02-07 |
公开(公告)号: | CN112543999A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李新兴;金大贤;金明姬;韦德和·巴塞尔;柳济源;林白铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
显示装置可以包括:衬底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中,多个像素中的每个包括子像素。每个子像素可以包括:像素电路层,包括至少一个晶体管;以及显示元件层,包括单位发射区域和外围区域。显示元件层可以包括:第一电极和第二电极,第一电极设置在单位发射区域中,第二电极与第一电极间隔开;至少一个发光元件,设置在单位发射区域中,并且包括连接至第一电极的第一端和连接至第二电极的第二端;第一连接线,设置在外围区域中;以及桥接图案,设置在外围区域中,并且从第一连接线分支。桥接图案可以与第一电极和第二电极中的每个电断开。
技术领域
本公开的各种实施方式涉及显示装置以及制造显示装置的方法。
背景技术
发光二极管即使在恶劣的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐用性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。近来,对将这种发光二极管应用于各种显示装置的技术的研究已经明显变得愈加活跃。
作为此研究的一部分,正在开发使用无机晶体结构(例如,通过生长基于氮化物的半导体而获得的结构)来制造具有与微米级或纳米级对应的超小型尺寸的发光二极管的技术。例如,超小型二极管可以制造成足够小的尺寸,以形成自发射显示装置的像素等。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施方式涉及一种显示装置以及制造显示装置的方法,其中包括至少一个超小型发光元件的每个子像素可以被独立驱动。
技术方案
根据本公开的一方面,显示装置可以包括:衬底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在衬底的显示区域中,多个像素中的每个包括多个子像素。子像素中的每个可以包括:像素电路层,包括至少一个晶体管;以及显示元件层,包括通过其发射光的单位发射区域和设置在单位发射区域周围的外围区域。
在本公开的实施方式中,显示元件层可以包括:第一电极和第二电极,第一电极设置在单位发射区域中,第二电极与第一电极间隔开;至少一个发光元件,设置在单位发射区域中,并且包括连接至第一电极的第一端和连接至第二电极的第二端;第一连接线,设置在外围区域中,并且在一方向上延伸;以及桥接图案,设置在外围区域中,并且在与所述一方向相交的另一方向上从第一连接线分支。桥接图案可以与第一电极和第二电极中的每个电断开。
在本公开的实施方式中,第一连接线可以包括:第1-1连接线,所述第1-1连接线与第一电极设置在相同的层上;以及第1-2连接线,设置在第1-1连接线上。桥接图案可以与第1-2连接线是一体的。
在本公开的实施方式中,在平面图中,桥接图案可以具有从第1-2连接线朝向单位发射区域突出的形状。
在本公开的实施方式中,显示元件层可以包括:第一封盖层,设置在第一电极上,并且与第一电极重叠;以及第二封盖层,设置在第二电极上,并且与第二电极重叠。第一封盖层与第1-2连接线设置在相同的层上。
在本公开的实施方式中,桥接图案可以与第一封盖层间隔开预定距离。
在本公开的实施方式中,显示元件层还可以包括第二连接线,第二连接线在外围区域中平行于第一连接线的延伸方向延伸,并且与第二电极电连接。第二连接线可以包括第2-1连接线和第2-2连接线,其中,所述第2-1连接线与第1-1连接线设置在相同的层上,第2-2连接线设置在第2-1连接线上。
在本公开的实施方式中,桥接图案、第一封盖层和第二封盖层、第1-2连接线以及第2-2连接线可以设置在相同的层上,并且可以包括相同的材料。
在本公开的实施方式中,像素电路层可以包括:驱动电压线,设置在衬底上,并且传输驱动电压;以及钝化层,设置在晶体管和驱动电压线上,并且包括暴露晶体管的一部分的第一接触孔和暴露驱动电压线的一部分的第二接触孔。第一接触孔可以设置在单位发射区域中,使得第一接触孔对应于第一电极的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的