[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
申请号: | 201980053516.3 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN112602173A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 児玉宗久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B1/04;B24B7/04;B24B41/047;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
1.一种基板处理系统,其中,
该基板处理系统包括:
第1主表面磨削装置,其以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板,并且磨削所述基板的所述第1主表面;
第1反转装置,其使利用所述第1主表面磨削装置磨削后的所述基板上下反转;以及
第2主表面磨削装置,其以使所述基板的第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面,并且磨削所述基板的所述第2主表面。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置具有;卡盘工作台,其以使所述基板的所述第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板;可动部,磨削工具可更换地安装于该可动部;以及升降部,其使所述可动部升降。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统包括输送装置,该输送装置俯视时自所述第1主表面磨削装置的前方进行所述基板的相对于所述第1主表面磨削装置的送入送出,
从所述第1主表面磨削装置的正后方或斜后方观察,安装于所述可动部的所述磨削工具的整体自所述升降部暴露。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置具有在前后方向上引导所述卡盘工作台的水平引导件,
交接位置和加工位置沿着所述水平引导件配置,所述交接位置为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置,所述加工位置为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置具有以铅垂的旋转中心线为中心旋转的旋转工作台,
所述卡盘工作台绕所述旋转工作台的所述旋转中心线以等间隔配置有两个,并与所述旋转工作台一起旋转,
交接位置和加工位置绕所述旋转工作台的所述旋转中心线配置,所述交接位置为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置,所述加工位置为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置具有以铅垂的旋转中心线为中心旋转的旋转工作台,
所述卡盘工作台绕所述旋转工作台的所述旋转中心线以等间隔配置有四个,并与所述旋转工作台一起旋转,
第1交接位置、第2交接位置、第1加工位置、第2加工位置绕所述旋转工作台的所述旋转中心线配置,所述第1交接位置和所述第2交接位置分别为进行所述基板的相对于所述卡盘工作台的交接的位置,所述第1加工位置和所述第2加工位置分别为利用所述磨削工具加工保持于所述卡盘工作台的所述基板的位置。
7.根据权利要求2~6中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置的所述升降部具有:门型框架,其跨所述卡盘工作台的移动路径;一对升降引导件,其固定于所述门型框架;以及一对升降滑块,其沿着一对所述升降引导件升降,
所述可动部固定于一对所述升降滑块,所述可动部具有使所述磨削工具旋转的主轴马达,
一对所述升降滑块隔着所述主轴马达的旋转中心线对称配置。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述第1主表面磨削装置为以使所述基板的所述第1主表面朝上的方式自下方保持形成于所述基板的所述第2主表面的平坦化层的平坦面,并且磨削所述基板的所述第1主表面的装置。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统包括平坦化层磨削装置,该平坦化层磨削装置以使所述基板的所述第2主表面朝上的方式自下方保持所述基板的磨削后的所述第1主表面,并且磨削所述平坦化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造