[发明专利]磁场施加装置

权利要求书

1.一种磁场施加装置，其是磁场施加装置(20)，所述磁场施加装置(20)包括磁场施加部(25、26)和永久磁铁(28)，所述磁场施加部(25、26)中设有磁工质(27)且对该磁工质(27)施加有磁场，其特征在于：

所述磁场施加装置(20)包括轭部(30)，所述轭部(30)形成至少两个闭合磁路(44～46)，所述闭合磁路(44～46)将所述永久磁铁(28)的磁化方向两端磁连接而构成闭合回路，

所述磁场施加部(25、26)设在至少一个所述闭合磁路(44～46)中，

所述磁场施加装置(20)包括线圈(47、48)，所述线圈(47、48)设在所述闭合磁路(44～46)的至少一者中，且可对施加于所述磁工质(27)的磁场的强度进行改变，

所述磁场施加装置(20)构成为：当所述线圈(47、48)未通电时，所述永久磁铁(28)的磁通分流到包括设有所述磁场施加部(25、26)的所述闭合磁路(44～46)的两个以上该闭合磁路(44～46)，由此，当所述线圈(47、48)未通电时，所述永久磁铁(28)的磁通的至少一部分在所述磁场施加部(25、26)中流动，

当所述线圈(47、48)未通电时所述永久磁铁(28)的磁通分支流动的两个以上所述闭合磁路(44～46)包括设有所述磁场施加部(25、26)的第一所述闭合磁路(44)和未设有所述磁场施加部(25、26)的第二所述闭合磁路(45)，

所述磁场施加装置(20)包括设置于第二所述闭合磁路(45)的磁阻部(29)。

2.根据权利要求1所述的磁场施加装置，其特征在于：

所述磁场施加装置(20)包括第一所述闭合磁路(44)和第二所述闭合磁路(45)，

将第一所述闭合磁路(44)中所述永久磁铁(28)以外的部分的磁阻设为R1，且将第二所述闭合磁路(45)中所述永久磁铁(28)以外的部分的磁阻设为R2，

所述磁场施加装置(20)被设计成保证0.01×R1≤R2≤100×R1成立。

3.根据权利要求1或2所述的磁场施加装置，其特征在于：

将加强施加于所述磁工质(27)的磁场的方向的最大电流在所述线圈(47、48)中流动时的所述磁工质(27)的磁通密度设为Bmax，且将所述线圈(47、48)未通电时的所述磁工质(27)的磁通密度设为B0，

所述磁场施加装置(20)被设计成保证0.1×Bmax≤B0≤0.5×Bmax成立。

4.根据权利要求1所述的磁场施加装置，其特征在于：

所述磁阻部(29)由气隙或非磁性体构成。

5.根据权利要求1所述的磁场施加装置，其特征在于：

所述磁场施加装置(20)包括控制部(52)，所述控制部(52)对在所述线圈(47、48)中流动的电流进行控制，以使在所述线圈(47、48)中流动的电流选择性地向加强施加于所述磁工质(27)的磁场的方向、和减弱施加于所述磁工质(27)的磁场的方向流动。

6.根据权利要求5所述的磁场施加装置，其特征在于：

将加强施加于所述磁工质(27)的磁场的方向的最大电流在所述线圈(47、48)中流动时的所述磁工质(27)的磁通密度设为Bmax，将减弱施加于所述磁工质(27)的磁场的方向的最大电流在所述线圈(47、48)中流动时的所述磁工质(27)的磁通密度设为Bmin，且将所述线圈(47、48)未通电时的所述磁工质(27)的磁通密度设为B0，

所述磁场施加装置(20)被设计成保证B0≈(Bmax－Bmin)/2成立。