[发明专利]氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法在审
| 申请号： | 201980054007.2 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112567065A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;陆田雄也;白井孝典;井尾谦介 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/01 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 溅射 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物溅射靶，其由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，
靶溅射面内的密度的偏差为3％以下，厚度方向上的密度的偏差为5％以下。
2.根据权利要求1所述的氧化物溅射靶，其特征在于，
所述氧化物溅射靶的靶溅射面内的电阻率的偏差为10％以下，厚度方向上的电阻率的偏差为10％以下。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物溅射靶，其特征在于，
所述氧化物溅射靶的靶溅射面的面积为0.02m2以上。
4.一种氧化物溅射靶的制造方法，其为由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物组成的氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，具有：
烧结原料粉末形成工序，得到将氧化锆粉末、氧化硅粉末及氧化铟粉末混合而成的烧结原料粉末；及
烧结工序，将所得到的所述烧结原料粉末进行烧结而得到烧结体，
在所述烧结工序中，一边导入氧，一边进行加热，在1200℃以上且1400℃以下的温度范围内保持3小时以上之后，加热至超过1400℃的温度并进行保持。
5.根据权利要求4所述的氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，
所述烧结原料粉末的中值直径D50在0.05μm以上且1.2μm以下的范围内。
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