[发明专利]氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法

说明书

本发明提供一种氧化物溅射靶，其由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶溅射面内的密度的偏差为3％以下，厚度方向上的密度的偏差为5％以下。

技术领域

本发明涉及一种由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物组成的氧化物溅射靶及该氧化物溅射靶的制造方法。

本申请主张基于2018年8月27日于日本申请的专利申请2018-158101号及2019年7月4日于日本申请的专利申请2019-125596号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

在液晶显示器、有机EL显示器及触摸面板等显示面板上配设有屏蔽层，以防止由液晶元件或有机EL元件等的静电引起的故障。尤其，在内嵌型触摸面板中，也要求上述屏蔽层发挥一边排除来自外部的噪声，一边使触摸信号到达面板内部的传感器部分的作用。

并且，在该屏蔽层中，为了确保显示面板的可视性，也要求可见光的透射性高。

例如，在专利文献1中，作为上述屏蔽层而提出一种以氧化铟锡(ITO)为主要成分的透明导电膜。

然而，在以氧化铟锡(ITO)为主要成分的透明导电膜中，由于在可见光下的透射率低，因此有可能导致视觉上显得发黄，从而可视性变差。

因此，作为上述屏蔽层，可以考虑适用含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物膜。

例如，在专利文献2～4中，提出一种在形成含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物膜时所使用的氧化物溅射靶。

专利文献1：日本特开2013-142194号公报

专利文献2：日本特开2007-327103号公报

专利文献3：日本特开2009-062585号公报

专利文献4：日本特开2018-040032号公报

然而，在专利文献2-4中公开的氧化物溅射靶主要假定了形成作为信息记录介质的光盘的介电层及保护层的膜，并且靶溅射面相对较小。

当形成内嵌型触摸面板等屏蔽层膜时，优选使用靶溅射面的面积大的大型的溅射靶或圆筒形溅射靶。

在上述专利文献2～4中，在制造出大型的溅射靶的情况下烧成变得不充分，从而产生密度的偏差或氧浓度的偏差，或者产生裂纹或翘曲，可能无法稳定地进行溅射成膜。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种即使靶溅射面相对较大，也可以稳定地进行溅射成膜的氧化物溅射靶及该氧化物溅射靶的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的氧化物溅射靶由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶溅射面内的密度的偏差为3％以下，厚度方向上的密度的偏差为5％以下。

根据本发明的氧化物溅射靶，由于由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物构成，因此可以形成电阻高且可见光的透射性优异，并适合于屏蔽层的氧化物膜。

而且，由于靶溅射面内的密度的偏差为3％以下，因此在溅射成膜时，在整个靶溅射面上溅射稳定，能够稳定地形成氧化物膜。

并且，由于厚度方向上的密度的偏差为5％以下，因此即使在进行了溅射的情况下，也能够稳定地形成氧化物膜。

在本发明的氧化物溅射靶中，优选靶溅射面内的电阻率的偏差为10％以下，并且厚度方向上的电阻率的偏差为10％以下。

在该情况下，由于靶溅射面内的电阻率的偏差为10％以下，因此能够抑制在溅射时产生异常放电。

并且，由于厚度方向上的电阻率的偏差为10％以下，因此即使在进行了溅射的情况下，也能够稳定地形成氧化物膜。