[发明专利]处理化学液体的方法

说明书

提供一种处理化学液体方法。所述方法包括：至少提供具有至少一个过滤介质的系统；用铁(Fe)及钙(Ca)含量为约10十亿分率或小于10十亿分率的处置液体处置所述系统；以及在所述处置工艺之后使用其中配置有所述系统的设备处理所述化学液体。

技术领域

本发明涉及一种处理化学液体的方法，且更具体来说涉及一种纯化在半导体制造中使用的化学液体的方法。

背景技术

由于对如以大规模集成电路(large scale integrated circuit，LSI)(以下称为“LSI”)等为代表的半导体装置的更高集成度及更高性能的日益增长的需求，在LSI的制作中已开发并采用了新精度高分辨率处理技术。

在制造高分辨率集成电路期间，各种处理液体将会接触裸晶片(bare wafer)或膜涂布晶片(film-coated wafer)。举例来说，制作精细金属互连通常涉及在利用复合液体涂布基础材料以形成抗蚀剂膜之前利用预润湿液体来涂布基础材料、将抗蚀剂膜曝光以具有图案形状、使用显影剂实行显影处置并使用漂洗溶液洗涤图案化抗蚀剂膜的过程。包含恰当成分及各种添加剂的这些处理液体已知作为集成电路(integrated circuit，IC)晶片的污染的来源。

已表明，存在极低水准的金属杂质(低至1.0万亿分率(ppt))会降低半导体装置的性能及稳定性。并且端视杂质的种类而定，氧化物性质可能劣化，会形成不准确的图案，半导体电路的电气性能会受到损害，此最终会对制造良率产生不利影响。

在化学液体的生产工艺的各个阶段期间，这些污染物(例如金属杂质、粗颗粒、有机杂质、水分等)可能会无意地引入化学液体中。举例来说，化学液体会接触未经恰当准备或处置的制造(处理)设备的一部分，且异物可能从制造设备的表面洗脱或提取，从而导致化学液体中微量金属、微粒和/或有机污染物不需要地增加。

因此，为形成在超精细高精度半导体电子电路的制作中不可缺少的高纯度化学液体，必须显着改善并严格控制化学液体生产工艺及所述工艺中所应用的制造设备的标准及品质。

发明内容

因此，为形成高精度集成电路，对超纯化学液体的需求以及对这些液体的品质改善及控制变得至关重要。针对品质改善及控制的具体关键参数包括：微量金属减少、液体颗粒计数减少、晶片上(on-wafer)缺陷减少、有机污染物减少等。所有这些关键参数均显示出受到生产工艺的恰当设计及制造设备的必要准备所影响。

鉴于以上内容，本发明具体来说提供一种处理半导体制造中所采用的化学液体的方法，其中生产出高纯度化学液体，所述化学液体中不需要的微粒数目以及金属杂质量被管理在预定范围内。因此，残留物和/或颗粒缺陷的出现被抑制，且半导体晶片的良率得到提高。

根据本发明的一些实施例，一种处理化学液体的方法包括提供一种包括至少一个过滤介质的系统，所述至少一个过滤介质选自过滤器、离子交换膜及离子吸附膜；使用铁(Fe)及钙(Ca)含量被限制为约10十亿分率(ppb)或小于10ppb的处置液体对系统实行处置工艺；以及在处置工艺之后，用配置在设备中的系统处理所述化学液体。

根据某些示例性实施例，所述方法包括在处置工艺之后，在设备中配置系统。

根据某些示例性实施例，所述方法包括在实行处置工艺之前，在设备中配置系统。

根据本发明的替代性实施例，一种处理化学液体的方法包括：提供包括至少一个第一过滤介质的第一纯化系统，所述至少一个第一过滤介质选自第一过滤器、第一离子交换膜及第一离子吸附膜；用配置在生产设备中的第一纯化系统对所述化学液体实行纯化工艺；以及在实行纯化工艺之前，将第一处置液体施加到所述至少一个第一过滤介质，其中第一处置液体中的铁(Fe)及钙(Ca)含量优选地小于约10ppb。