[发明专利]带保护膜的热敏电阻及其制造方法

说明书

热敏电阻具有热敏电阻基体、保护膜及电极部。保护膜由膜厚在50nm以上且1000nm以下的范围的SiOsubgt;2/subgt;膜构成。保护膜与热敏电阻基体相接而形成。在包括热敏电阻基体与保护膜的界面的区域，不均匀地分布有碱金属。

技术领域

本发明涉及一种带保护膜的热敏电阻及其制造方法。

本申请主张基于2018年8月23日在日本申请的专利申请2018-156647号、2019年8月5日在日本申请的专利申请2019-143817号及2019年8月5日在日本申请的专利申请2019-143890号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

热敏电阻具有电阻根据温度而变化的特性，适用于各种电子设备的温度补偿或温度传感器等。尤其，最近广泛使用安装于电路基板的芯片热敏电阻。这种热敏电阻具有热敏电阻基体(基底)及形成于该热敏电阻基体的两端的一对电极部。

热敏电阻基体例如由多种金属氧化物等构成，具有容易受酸或碱的影响并且容易还原的性质。若热敏电阻基体的组成发生变化，则作为热敏电阻的特性可能会发生变化。

为了防止由于与酸或碱等的接触而引起的热敏电阻基体的组成变化，例如在专利文献1、2中公开了使保护膜在热敏电阻基体的表面成膜的技术。对于这种保护膜来说，为了抑制热敏电阻基体的劣化，要求对电镀液的耐性、耐环境性、绝缘性等。作为保护膜的具体例，多会使用SiO₂膜。

专利文献1：日本特开平03-250603号公报

专利文献2：日本特开2003-077706号公报

然而，如专利文献1、2那样，将玻璃浆料印刷在热敏电阻基体上而形成厚的玻璃层的方法中，由于难以实现保护膜的薄膜化，因此存在难以制造小型热敏电阻的课题。

另一方面，当使用硅等溅射靶并通过反应性溅射使SiO₂等保护膜成膜时，虽然能够实现保护膜的薄膜化，但是所形成的保护膜并没有成为按照化学计量比那样的组成，可能形成如SiO_2-x那样被弱还原的状态的膜。

对于弱还原状态的膜来说，例如在后工序中具有以电极形成等为目地的烧成工序时，热敏电阻基体被热还原并在保护膜与热敏电阻基体的界面产生空隙。存在如下的忧虑：由于这种空隙导致热敏电阻基体与保护膜的密合性降低，保护膜剥离，热敏电阻基体被侵蚀，从而导致热敏电阻的特性改变。并且，热敏电阻基体的组成不均匀成为热敏电阻的灵敏度降低等的原因而不优选。

并且，利用浸涂等涂布成膜原料液的通常的湿式成膜法而进行保护膜的制膜时，无法根据热敏电阻基体表面上存在的微细的凹凸来成膜，导致膜厚在凸部薄而在凹部厚，从而难以获得膜厚均匀的保护膜。若保护膜的膜厚不均匀，则容易产生裂纹或针孔，成为多孔质的保护膜。在这种多孔质的保护膜中，存在无法充分地阻挡气体或液体向热敏电阻基体浸透且降低作为保护膜的功能的课题。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种带保护膜的热敏电阻，该带保护膜的热敏电阻具有不易与热敏电阻基体产生剥离且密合性优异的保护膜。

并且，其目的在于提供一种带保护膜的热敏电阻的制造方法，该制造方法能够制造具有密合性优异的保护膜的带保护膜的热敏电阻。

为了解决上述课题，本发明的一实施方式的带保护膜的热敏电阻的特征在于，具有热敏电阻基体、由膜厚在50nm以上且1000nm以下的范围的SiO₂膜构成且与所述热敏电阻基体相接而形成的保护膜及电极部，在包括所述热敏电阻基体与所述保护膜的界面的区域，不均匀地分布有碱金属。