[发明专利]摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201980054563.X | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN112602195A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 町田贵志 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/22;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
第一导电类型的半导体基板,其包括第一表面和位于所述第一表面的相对侧的第二表面;
第二导电类型的光电转换部,其埋入在所述半导体基板中,并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷;
第二导电类型的电荷保持部,其埋入在所述半导体基板中,并且保持在所述光电转换部中产生的所述电荷;
传输部,其将所述电荷从所述光电转换部传输到传输目的地;和
沟槽部,所述沟槽部在所述电荷保持部中从所述第一表面朝向所述第二表面沿厚度方向延伸,
所述沟槽部包括第一基体和被设置成覆盖所述第一基体的所述第一导电类型的第一半导体层。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述沟槽部还包括所述第二导电类型的第二半导体层,所述第二半导体层被设置成覆盖所述第一半导体层,并且所述第二半导体层的杂质浓度高于所述电荷保持部的杂质浓度。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括电荷电压转换部,所述电荷电压转换部作为从所述电荷保持部传输所述电荷的所述传输目的地,其中,
所述沟槽部还在与所述厚度方向正交的第一方向上延伸,并且
所述电荷保持部和所述电荷电压转换部沿着所述第一方向布置。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其中,所述光电转换部和所述电荷保持部沿着所述第一方向布置。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述沟槽部为多个。
6.根据权利要求5所述的摄像装置,其中,多个所述沟槽部中的一部分所述沟槽部从所述第一表面向所述第二表面贯穿所述半导体基板。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述传输部包括沟槽栅极部,所述沟槽栅极部被设置成与所述沟槽部相邻,并且在所述厚度方向上延伸。
8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,
所述沟槽部为多个,
所述传输部包括多个所述沟槽栅极部,并且
多个所述沟槽部和多个所述沟槽栅极部在与所述厚度方向正交的方向上交替地布置。
9.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括板部,所述板部设置在所述电荷保持部的底面上,并且在与所述厚度方向正交的面内方向上延展,其中,
所述板部包括第二基体、被设置成覆盖所述第二基体的所述第一导电类型的第三半导体层、和被设置成覆盖所述第三半导体层的所述第二导电类型的第四半导体层。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,所述沟槽部和所述板部彼此接触。
11.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述光电转换部和所述电荷保持部从所述第二表面朝向所述第一表面在所述厚度方向上被堆叠。
12.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括板部,所述板部位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间并且在与所述厚度方向正交的面内方向上延展,其中,
所述板部包括第二基体、被设置成覆盖所述第二基体的所述第一导电类型的第三半导体层、和被设置成覆盖所述第三半导体层的所述第二导电类型的第四半导体层。
13.根据权利要求12所述的摄像装置,其中,所述板部中的所述第二基体包含金属材料。
14.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,
所述第一半导体层包括第一导电类型固相扩散层,并且
所述第二半导体层包括第二导电类型固相扩散层。
15.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述沟槽部在所述第一表面上露出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的